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硒化钛蒸发材料通常采用高纯钛与高纯硒为原料,通过真空合成或受控反应工艺制备形成稳定的 Ti–Se 化合物相,并在生产、加工与封装过程中严格控制氧、水分及杂质含量,以确保蒸发过程中的化学计量稳定性与薄膜性能可重复性。
纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N),适用于科研与前沿功能薄膜
材料体系:Ti–Se(TMD 类,常见为 TiSe₂)
结构特征:层状晶体结构,层间以范德华力结合
物性亮点:电荷密度波(CDW)与电子-声子耦合行为
成膜优势:化合物单源蒸发,有助于保持成分同步沉积,降低偏析风险
供货形态:颗粒、块状、片状或定制形态,兼容钼舟、钨舟及电子束坩埚
通过调控蒸发功率、沉积速率、基底温度与后处理条件,可获得结晶取向可控、表面均匀的 TiSe 薄膜。
硒化钛蒸发材料主要应用于前沿基础研究与低维材料领域,包括:
二维与层状材料研究:TiSe₂ 薄膜与低维电子结构
电荷密度波(CDW)研究:相变与电子相互作用探索
量子与凝聚态物理:电子-声子耦合与相关物性研究
异质结构与多层薄膜:与石墨烯、h-BN、其他 TMD 组合
科研与实验室应用:能带结构、界面工程与缺陷调控研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 材料体系 | Ti–Se(TMD 类) | 决定层状与相互作用特性 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 影响缺陷密度与相稳定性 |
| 晶体结构 | 层状结构(如 TiSe₂) | 低维与 CDW 行为来源 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 片状 | 适配不同蒸发源 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 硒化钛蒸发材料(TiSe) | CDW 行为明显 | 凝聚态研究 |
| 二硒化钼(MoSe₂) | 光学响应好 | 光电器件 |
| 二硒化钨(WSe₂) | 强 SOC | 自旋/谷电子学 |
| 二硫化钛(TiS₂) | 导电性高 | 功能薄膜 |
Q1:TiSe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,电子束蒸发更有利于高熔点组分的稳定蒸发。
Q2:TiSe 的核心研究价值是什么?
A:其层状结构与典型的电荷密度波(CDW)行为。
Q3:是否主要用于科研用途?
A:是的,目前主要面向二维材料与凝聚态物理研究。
Q4:化学计量比可以定制吗?
A:可以,可根据研究需求微调 Ti/Se 比例。
Q5:膜层附着力如何?
A:在 Si、SiO₂、蓝宝石等常见科研基底上具有良好附着性能。
Q6:是否适合二维材料研究?
A:非常适合,TiSe₂ 是典型的层状 TMD 体系。
Q7:是否可用于异质结构?
A:可以,常与石墨烯或其他 TMD 材料组合。
Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:CDW 相变、电子-声子耦合、低维电子结构研究。
所有硒化钛蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、成分稳定性与结构完整性。
硒化钛蒸发材料(TiSe)凭借其典型的层状 TMD 结构、独特的电荷密度波物性以及稳定可控的成膜表现,在二维材料与凝聚态物理研究中具有不可替代的科研价值。对于聚焦低维电子结构、相变行为或异质结构构建的真空蒸发应用,TiSe 是一类研究指向清晰、物性特征鲜明的高端蒸发材料选择。
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