硅铟靶材(SiIn)

硅铟靶材(SiIn)

产品简介(Introduction)

硅铟靶材(SiIn)由硅(Si)与铟(In)组成,是一种兼具半导体特性、优异附着性及可调整光电性能的复合金属靶材。Si–In 体系在薄膜导电性、折射率调节、界面稳定性、缺陷工程以及光电器件制备中具有突出优势,广泛用于半导体工艺、光电薄膜、传感器、透明电子学与功能材料研究。

硅提供结构稳定性、耐高温性能与半导体性质,铟则提供良好导电性与光学性能,使 SiIn 靶材成为兼具机械稳定性、电学可调性和光学功能的优质薄膜材料来源。


产品详情(Detailed Description)

硅铟靶材采用高纯原料,通过冷等静压(CIP)成型与真空烧结或热压烧结(HP)工艺制备。工艺过程确保材料组织均匀、成分分布稳定,同时具备高致密度,使其在 RF / DC 溅射中表现出色。

典型规格如下:

  • 纯度(Purity):99.9% – 99.99%

  • 直径(Diameter):Ø25 – Ø300 mm(支持 1″ / 2″ / 3″ 全尺寸定制)

  • 厚度(Thickness):3 – 6 mm

  • 成分比例(Composition):Si/In 可按需求定制(常见如 Si20In80、Si30In70)

  • 成型工艺:CIP + 真空烧结 / HP

  • 致密度(Density):≥95% 理论密度(TD)

  • 背板(Bonding):可提供 Cu / Ti 背板或铟焊结构

材料性能优势:

  • 薄膜附着力强

  • 良好的光学调控能力(折射率、透光率)

  • 稳定的电学性能

  • 小颗粒率(Low Particles)

  • 优异的薄膜一致性与致密性

  • 适用于大面积生产与高稳定性工艺


应用领域(Applications)

硅铟靶材具有广泛的光电与电子应用价值,典型领域包括:

1. 半导体薄膜(Semiconductors)

  • 缓冲层、过渡层

  • 半导体调控层

  • 电极结构中的功能膜层

2. 光学镀膜(Optical Coatings)

  • 折射率调节膜

  • 反射/透射光学结构

  • 多层光学器件

3. 透明电子学与显示技术

适用于:

  • 透明电子薄膜

  • OLED、TFT 结构层

  • 显示面板的光电辅助结构

4. 传感器薄膜(Sensors)

  • 气体传感器

  • 光电传感组件

  • 多功能响应薄膜

5. 科研领域

适用于带隙调控、界面工程、薄膜缺陷调节等研究方向。

兼容 RF / DC 磁控溅射、共溅射、反应溅射(Ar/O₂、Ar/N₂)


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9%–99.99% 有助于获得低缺陷薄膜
成分比例 Si/In 可定制 满足不同电学/光学需求
直径 Ø25–300 mm 适用于大多数溅射设备
厚度 3–6 mm 决定溅射速率与靶材寿命
致密度 ≥95% TD 提升薄膜均匀性与附着性
背板 Cu / Ti / In 焊 增强散热与机械稳定性

相关材料对比(Comparison)

材料 特性优势 应用方向
SiIn 半导体 + 光学/电学可调性强 光电薄膜、传感器、显示技术
SiAl 高温稳定性佳 半导体与金属粘结层
In 系靶材(如 ITO) 高透光、高导电 透明导电材料
SiN、SiO₂ 介电性能优秀 保护层、介电层

常见问题(FAQ)

问题 答案
SiIn 适合 RF 还是 DC? SiIn 为半导体+金属体系,RF 溅射更稳定。
是否可定制 Si/In 比例? 可定制 10–90% 任意比例。
是否建议加背板? 大尺寸靶材建议 Cu/Ti 背板增强散热。
是否易氧化? 靶材整体稳定,表面可真空密封保存。
能否与其他靶材共溅射? 可用于复合薄膜和梯度薄膜结构。
可否用于透明薄膜? 是,SiIn 常用于调控透明导电层。
与 Si 或 In 单靶相比优势是什么? 组合后具备更均衡的电学、光学与结构性能。

包装(Packaging)

每片硅铟靶材出厂前均:

  • 经过纯度、尺寸与外观检查

  • 采用真空密封防氧化

  • 使用多层防震泡沫保护

  • 装入出口级硬纸箱/木箱

  • 附带唯一批次编号与追踪标签

确保运输过程中的安全与洁净。


结论(Conclusion)

硅铟靶材(SiIn)凭借兼具半导体和光学电学调控优势的材料特性,在光电薄膜、半导体工艺、显示技术和科研材料研究中具有广泛应用。苏州科跃材料科技有限公司可提供不同成分比例、尺寸与背板形式的定制服务,是科研与工业应用的可靠合作伙伴。

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