硅化铪靶材（HfSi）

产品简介（Introduction）

硅化铪（HfSi 或 HfSiₓ）是一种高熔点金属硅化物材料，具有 优异的热稳定性、低电阻率、良好的材料兼容性与出色的化学惰性。在半导体行业中，HfSi 是先进薄膜工艺的重要组成材料，尤其适用于 高介电常数（High-k）栅介质栈结构、扩散阻挡层、金属栅材料和薄膜电阻器件。

使用 HfSi 溅射靶材能够制备出组成均匀、致密、低缺陷的薄膜，适用于高端晶圆制造、微电子加工与前沿材料研发。

产品详情（Detailed Description）

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密度、多计量比可定制的 HfSi 溅射靶材，兼容各类 PVD 工艺（DC / RF 溅射、共溅射、脉冲溅射等）。

● 常规规格

• 纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）

• 化学计量比：

  • 常见：HfSi₂、HfSi、Hf-rich / Si-rich 可定制

• 尺寸：Φ25–300 mm

• 厚度：3–6 mm 或按需定制

• 形状：圆形靶、矩形靶、阶梯靶、异形靶

• 制造工艺：真空烧结、热压（HP）、CIP/HIP

• 致密度：≥95% 理论密度

• 背板结合：提供 Cu / Ti 背板，支持铟焊（Indium Bonding）

● 材料特性

• 低电阻率、结构致密

• 高熔点（>2500°C），耐高温稳定性优越

• 化学惰性强，适用于复杂薄膜结构

• 与 Si、SiO₂、HfO₂、SiN 等材料兼容性好

• 薄膜附着性强，均匀性高

应用领域（Applications）

硅化铪（HfSi）广泛用于先进半导体、光电与功能薄膜领域，典型应用包括：

1. 高介电栅极结构（High-k Gate Stack）

HfSi 可作为金属栅层、界面层或阻挡层，提高器件可靠性。

2. 扩散阻挡层（Diffusion Barrier）

用于 Cu / Al 互连结构，防止金属原子扩散进入介电层。

3. 金属薄膜电阻（Thin Film Resistors）

用于精密电阻网络、MEMS 元件及射频电路。

4. 光电薄膜与多层结构

可作为吸收层、反射层或中间过渡层。

5. 高温薄膜器件

依赖 HfSi 的结构稳定性和低化学反应性。

6. 半导体工艺研发

用于 ALD / PVD 工艺兼容性研究、界面工程等方向。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封包装

• 干燥剂防潮保护

• 防震泡沫加固

• 出口级纸箱 / 木箱

• 每片靶材附唯一溯源码与质检报告

结论（Conclusion）

硅化铪靶材（HfSi）以其卓越的热稳定性、电学性能与材料兼容性，在先进 CMOS 工艺、金属栅结构、电阻薄膜和阻挡层应用中具有重要作用。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、多规格可定制的 HfSi 靶材，是科研与产业薄膜应用的理想选择。

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