硅化钽靶材（TaSi）

产品简介（Introduction）

硅化钽靶材（TaSi）是一种典型的金属间化合物靶材，结合了钽（Ta）的高熔点与化学惰性，以及硅（Si）的优异界面特性，能形成高稳定性、优异导电性及抗扩散能力的功能薄膜。在先进半导体制造、光电镀膜、耐高温保护膜及微电子封装中，TaSi 是关键材料之一。

核心优势包括：

• 卓越的 热稳定性与抗扩散能力，适用于高温沉积与后续退火；

• 适度电阻率，可作为电极、阻挡层、过渡层使用；

• 良好的 化学稳定性，适用于苛刻工况下的功能膜层；

• 膜层结构致密、均匀，适合用于多层膜及光学膜。

产品详情（Detailed Description）

我司供应 高纯 99.9%（3N）– 99.99%（4N） 硅化钽靶材，采用真空热压烧结、CIP/HIP 加致密处理，确保靶材致密度高、晶相均匀、机械强度好，适用于高功率磁控溅射。

● 典型规格

• 化学组成： TaSi₂（常用）、Ta₅Si₃、TaSi（可定制）

• 尺寸范围： Ø25–300 mm 圆靶、矩形靶可定制

• 厚度： 3–6 mm

• 密度： ≥95–98% 理论密度（TD）

• 制造工艺： 真空烧结 / 熔炼 + 热压 / HIP

• 背板结合： 铜（Cu）、钛（Ti）、铟焊（In bonding）可选

● 工艺性能提升

高致密靶材有助于：

• 减少颗粒（Particles），获得更洁净膜层；

• 提升膜层附着力、改善应力结构；

• 增强靶材耐热冲击能力，降低溅射过程中开裂风险；

• 提高膜厚均匀性，适用于大面积镀膜。

应用领域（Applications）

● 半导体工艺

• 金属化阻挡层（Barrier Layer）

• 深亚微米互连结构

• 栅电极材料

• 高温稳定的界面层

● 光电与光学涂层

• 反射膜、增强膜

• 近红外吸收薄膜

• 多层干涉膜系统

● 微电子封装

• EMI 保护层

• 导电/阻挡复合膜

• 结构保护涂层

● 科研与材料开发

• Ta-Si 金属间化合物体系研究

• 共溅射复合薄膜制备

• 高温耐蚀薄膜结构开发

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有硅化钽靶材均采取：

• 真空密封 + 防静电包装

• 防震泡沫填充

• 出口级木箱运输

确保靶材在长途运输中的结构完整与表面洁净。

结论（Conclusion）

硅化钽（TaSi）靶材以其高熔点、高稳定性与优良电学特性，在先进半导体工艺、光学镀膜与功能材料开发中具有不可替代的地位。其优异的抗扩散性能使其成为高端金属化结构的重要材料。

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