硅化钴靶材（CoSi）

产品简介（Introduction）

硅化钴靶材（CoSi）是一种重要的过渡金属硅化物材料，具有优异的电学稳定性、热稳定性以及金属—半导体相特性，在半导体工艺、先进互连结构、薄膜电阻层和光电器件中具有关键作用。作为磁控溅射沉积的核心靶材，其高纯度和致密性直接影响薄膜的电阻率、界面反应稳定性与整体器件的一致性。

硅化钴薄膜具有低电阻、高温抗扩散性强、与硅基底兼容性优秀等优势，是高端制造工艺中不可或缺的功能材料。

产品详情（Detailed Description）

硅化钴靶材常采用 真空熔炼 + 热压烧结（HP）或冷等静压（CIP）+ 真空烧结 工艺生产，以确保晶粒均匀、杂质含量低、密度高。可根据客户需求提供：

• 纯度：99.9%–99.99%

• 尺寸：直径 25–300 mm，可定制矩形靶

• 厚度：3–6 mm（可根据工艺要求调整）

• 密度：≥98% 理论密度

• 结合方式：可选铜背板（Cu）、钛背板（Ti）、铟焊（In solder）或扩散结合

关键工艺优势

• 高致密度 CoSi 烧结体
  提升溅射速率及薄膜均匀性，减少颗粒、点缺陷。

• 低氧与低碳杂质控制
  保证薄膜低电阻率与高界面稳定性。

• 背板结合优化热管理
  铜或钛背板可提升散热与结构稳定性，适用于高功率溅射。

应用领域（Applications）

硅化钴靶材主要应用于：

1. 半导体工艺（Silicide Technology）

• CMOS 工艺中的 钴硅化物接触层（CoSi / CoSi₂）

• 晶体管源漏区金属化

• 先进节点中的低电阻接触结构替代钴或钨金属层

2. 薄膜电阻层（Thin Film Resistor）

• 用于高稳定性、低温漂电阻薄膜

• 适用于 MEMS 和高频电子器件

3. 光电与传感器

• 红外探测器接触层

• 光学干涉结构中作为稳定电学层

4. 封装与先进互连

• 解决高温扩散问题，替代 Ti/TiN 或 W 材料进行阻挡层设计

• 在高功率芯片封装中形成可靠的金属硅化物界面层

5. 科研薄膜制备

• 薄膜相变、电阻变化、电学稳定性研究

• 多层堆叠薄膜中用于金属/硅界面的扩散阻挡

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 CoSi 靶材在出厂前均经过密度、成分、外观及尺寸检测，并提供唯一的追溯编码。
采用 真空密封 + 防震泡沫 + 出口级木箱 包装，确保运输过程洁净与安全。

结论（Conclusion）

硅化钴靶材以其低电阻率、高温稳定性和与硅基技术的高度兼容性，在半导体工艺、薄膜电阻和先进互连技术中发挥重要作用。其在高端薄膜制备中表现出的稳定性和一致性，使其成为科研与工业生产中的可靠选择。

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