硅化钛靶材(TiSi)

产品简介(Introduction)

硅化钛靶材(TiSi)是一类重要的金属间化合物靶材,具备优异的导电性、热稳定性与抗高温扩散能力,广泛用于半导体薄膜、阻挡层、电极层、光电涂层及高温结构薄膜的制备。TiSi 薄膜兼具金属导电特性与硅化物的稳定性,是先进半导体工艺中常用的关键材料之一,尤其在深亚微米互连结构、栅电极及防扩散结构中表现优异。

其主要优势包括:

  • 良好的导电性,适用于电极层与互连结构;

  • 高温稳定,不易与 Si 或金属发生扩散反应;

  • 膜层致密、均匀,附着力强;

  • 卓越的抗腐蚀性能与氧化稳定性。


产品详情(Detailed Description)

我司提供 高纯度 99.9%(3N)– 99.99%(4N) TiSi 溅射靶材,采用真空熔炼、热压烧结、CIP/HIP 等先进工艺,保证材料的均匀性、低孔隙率和可重复的薄膜性能。

● 典型参数

  • 化学成分: TiSi、Ti₅Si₃、TiSi₂(可根据需求定制相组成)

  • 尺寸范围: Ø25–300 mm

  • 厚度: 3–6 mm

  • 密度: ≥98% 理论密度(TD)(TiSi₂ 系列)

  • 背板: Cu / Ti / In 焊,可增强散热并防止开裂

  • 制造方式: 真空熔炼 + 热压、高温烧结、HIP 加致密等

这些工艺对实际应用具有显著影响,例如:

  • 提高薄膜附着力,减少颗粒与脱落;

  • 增强薄膜导电性与均匀性

  • 保证在高功率溅射中的稳定性

  • 降低靶材开裂概率,显著延长使用寿命。


应用领域(Applications)

● 半导体制造

  • 深亚微米工艺中的 阻挡层(Barrier Layer)

  • 硅基芯片互连结构金属化

  • 栅极电极薄膜

  • 高温电阻薄膜

● 光电器件

  • 光学反射层与增强涂层

  • 红外吸收层

  • 功率器件表面保护膜

● 功能薄膜与表面工程

  • 抗腐蚀薄膜

  • 耐磨薄膜(Ti-Si 系超硬层)

  • 高温结构薄膜

● 科研用途

  • 新型金属间化合物薄膜研究

  • 多层结构 / 共溅射复合材料制备

  • 纳米尺度电学研究


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9% – 99.99% 保证薄膜缺陷少、性能稳定
尺寸 Ø25–300 mm 适配主流溅射设备
厚度 3–6 mm 决定沉积速率及散热性能
密度 ≥95–98% TD 薄膜致密性与溅射稳定性提升
相组成 TiSi/TiSi₂/Ti₅Si₃ 可根据工艺选择不同导电性与稳定性
背板结合 Cu / Ti / In 焊 增强热传导、防止靶材翘曲与开裂

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 优势 应用
TiSi 高稳定性、良好导电性 半导体阻挡层、互连结构
TiN 导电性优异、硬度高 半导体金属化、耐磨层
TiSi₂ 低电阻率、兼容 CMOS 工艺 深亚微米互连结构
Ti 活性金属、附着性好 光学膜、装饰膜、电极层

常见问题(FAQ)

问题 答案
TiSi 适用于哪些溅射方式? DC 和 RF 磁控溅射均可。
TiSi 与 TiSi₂ 有什么区别? TiSi₂ 电阻率更低,适用于高导电薄膜;TiSi 更耐高温、抗扩散。
薄膜是否适合作为阻挡层? 是,TiSi 系材料具备优异的抗扩散能力。
是否会在空气中氧化? 化学稳定性较高,短时间暴露不影响溅射。
可否提供带背板靶材? 可提供 Cu/Ti/In 焊接背板。
可否用于共溅射? 可以,与 Ti、Si、N 等材料共溅射制备复合薄膜。
TiSi 薄膜的典型电阻率是多少? 与相组成相关,一般 TiSi₂ 更低。
是否兼容 Si、玻璃、陶瓷基底? 均兼容,膜层附着性良好。

包装与交付(Packaging)

所有 TiSi 靶材均经过严格质量检测,并采用:

  • 真空密封包装

  • 防震泡沫保护

  • 出口级木箱

确保靶材在运输和长期储存期间保持清洁与稳定。


结论(Conclusion)

硅化钛(TiSi)溅射靶材以其优异的导电性、热稳定性和抗扩散能力,在半导体金属化、光学薄膜和先进功能薄膜应用中扮演关键角色。它是构建高性能电子器件与光电结构的核心材料之一。

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