硅化钛靶材（TiSi）

产品简介（Introduction）

硅化钛（TiSi）是一类典型的过渡金属硅化物材料，以其优异的导电性、热稳定性、良好附着性、耐腐蚀性和较低的电阻率而广泛应用于微电子工业与功能薄膜领域。TiSi 的高温稳定性和化学惰性使其非常适合作为阻挡层、金属化层、电极薄膜，以及多层结构中的关键组成材料。

作为溅射靶材，TiSi 能在磁控溅射过程中沉积均匀致密、附着力强的 Ti–Si 合金薄膜，广泛服务于半导体器件、NEMS/MEMS、电接触材料以及耐磨薄膜等高端制造领域。

产品详情（Detailed Description）

苏州科跃材料科技有限公司采用高纯钛粉与硅粉原料，通过真空固相反应、冷等静压（CIP）、热压（HP/HIP）烧结及精密加工等工艺制造 TiSi 靶材，保证靶材具有高致密度、低杂质、优异机械性能和稳定溅射特性。

可提供参数范围

• 纯度：99.5% – 99.9%（2N5–3N）

• Si 含量：TiSi、TiSi₂、Ti₅Si₃ 等配方可定制

• 尺寸：Ø25–300 mm（圆靶）、方靶可按图纸加工

• 厚度：3–10 mm

• 密度：≥ 95% 理论密度

• 工艺：CIP、HIP、真空固相反应

• 背板选择：铜（Cu）或钛（Ti）背板，可铟焊或扩散焊

• 形状：圆片、矩形靶、阶梯靶、多段靶均可提供

材料优势

• 低电阻率，适用于金属化层

• 稳定耐高温，适合半导体制造工艺

• 化学惰性高，适用于腐蚀性环境薄膜

• 强附着性，有利于形成高质量界面

• 高致密度减少薄膜颗粒污染

应用领域（Applications）

TiSi 溅射靶材可用于多种高端薄膜应用，包括：

1. 半导体与微电子工业

• 金属化薄膜

• 扩散阻挡层（Barrier Layer）

• 接触层材料

• 多层互连结构

TiSi₂ 在 CMOS 工艺中广泛用于降低接触阻值，是行业中重要的硅化物材料。

2. 电极材料

适用于：

• 功率器件

• 光电器件

• 高导电薄膜结构

3. 耐磨与保护涂层

Ti–Si 合金薄膜具有高硬度与良好机械稳定性，可用于：

• 工具涂层

• 模具强化层

• 防腐蚀保护膜

4. NEMS/MEMS 功能层

由于其稳定性与可控电学特性，TiSi 在：

• 微机电器件

• 传感器
  中有重要应用。

5. 光学薄膜

可用于定制反射率、吸收率与机械性能的功能性光学膜层。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防污染

• 多层防震缓冲保护

• 外部出口级木箱确保运输安全

• 附 ICP 杂质分析、密度测试与尺寸报告

结论（Conclusion）

硅化钛靶材（TiSi）因其优异的电学性能、热稳定性与可靠性，是半导体、微电子、光电及耐磨涂层领域的重要材料。苏州科跃材料提供高纯、高致密、多规格可定制的 TiSi 靶材，可满足从科研到工业化生产的多层次应用需求。

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