砷化镓靶材（GaAs）

产品简介（Introduction）

砷化镓（GaAs）是一种重要的 III–V 族化合物半导体材料，以其 高电子迁移率、直接带隙结构、高频特性与优异的光电转换效率 而闻名。GaAs 广泛应用于高速电子器件、光电探测、太阳能电池、红外器件以及微波通信系统，是高性能半导体领域的核心材料。

砷化镓靶材（GaAs Sputtering Target）可用于磁控溅射制备高均匀性、高纯度的 GaAs 薄膜，适用于科研机构、半导体制造厂、光学镀膜企业及先进薄膜材料实验室。

产品详情（Detailed Description）

GaAs 靶材典型采用以下制造工艺：

• 高纯 Ga / As 密闭合成（Sealed Ampoule Synthesis）

• 真空烧结（Vacuum Sintering）

• 固相反应烧结（Solid-State Reaction）

• 热压烧结（Hot Pressing, HP）或 HIP 致密化

• CIP 等静压成型（Cold Isostatic Pressing）

主要产品规格：

• 纯度：99.999%（5N）– 99.9999%（6N）

• 化学计量比：Ga:As = 1:1（可提供偏 Ga / 偏 As 特殊配比）

• 致密度：≥ 98%–99% 理论密度

• 晶体结构：闪锌矿（Zinc Blende）

• 颜色：灰黑色或深灰陶瓷质外观

• 尺寸范围：25–300 mm（圆靶），可定制矩形靶（如 100×200 mm）

• 厚度：3–6 mm

• 背板结合：Cu、Mo、Ti、Indium bonding

材料优势：

• 高纯度低缺陷率

• 成分均匀，适用于高稳定性薄膜沉积

• 低颗粒溅射表现

• 高致密度保证沉积速率稳定

• 兼容多种真空镀膜设备（HV / UHV）

应用领域（Applications）

● 高速电子器件（High-Speed Electronics）

GaAs 电子迁移率比 Si 高 5–6 倍，用于：

• 高频放大器

• 微波器件（MMIC）

• 高速逻辑电路

• 移动通信与雷达系统

GaAs 是射频与高速领域的核心材料。

● 光电器件（Optoelectronics）

作为直接带隙半导体，GaAs 是多种光电器件的关键基础材料：

• 激光二极管（LD）

• 光电探测器（PD）

• LED 光源

• 光通信组件（850 nm / 1310 nm 区间）

• 红外探测器件

GaAs 薄膜具备出色的光吸收和发光性能。

● 高效太阳能电池（High-Efficiency Solar Cells）

GaAs 在航空航天领域应用突出：

• 卫星太阳能电池

• 太空级多结电池（GaAs / InGaP / Ge）

• 高散射与高温应用光伏组件

其光电转换效率可超过 28%–32%。

● 异质结构与量子材料（Heterostructures & Quantum Devices）

GaAs 适用于：

• GaAs/AlGaAs 量子阱

• 量子霍尔实验

• 高迁移率电子气（HEMT 结构）

• 纳米激光器与量子点器件

GaAs 是先进半导体研究中的核心基础薄膜。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 防静电袋全封闭包装

• 多层防震结构保护

• 外箱使用出口级木箱

• 附带纯度、密度、成分检测报告（ICP、XRD、EDX）

确保靶材在运输与储存过程中稳定无污染。

结论（Conclusion）

砷化镓靶材（GaAs）凭借其卓越的电子迁移率、直接带隙光电性能和高度成熟的材料体系，在高速电子、光通信、光电探测、航天太阳能电池与量子材料研究中占据核心地位。使用高纯、高致密度的 GaAs 靶材可显著提升薄膜品质，是科研与工业应用的最佳选择。

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