砷化锌蒸发材料(ZnAs)

砷化锌蒸发材料(Zinc Arsenide Evaporation Material,ZnAs)是一种由锌(Zn)与砷(As)组成的化合物型蒸发材料,主要用于真空蒸发与电子束蒸发(E-beam Evaporation)等 PVD 薄膜沉积工艺。ZnAs 属于 Ⅱ–Ⅴ 族化合物半导体体系,在电学特性可调、载流子输运控制以及化学计量稳定性方面具有明确优势,常用于功能半导体薄膜与科研级材料研究。

在需要薄膜具备稳定成分、可控电阻率及半导体行为的应用场景中,ZnAs 是一类研究价值突出、工艺路径清晰的蒸发材料选择。

产品详情(Detailed Description)

砷化锌蒸发材料通常采用高纯锌与高纯砷为原料,通过真空合成或固相反应工艺制备形成稳定的 Zn–As 化合物相,并对氧、碳等杂质进行严格控制,以保证材料纯度和蒸发过程的一致性。

  • 纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N),适用于科研及高端薄膜沉积

  • 材料体系:Zn–As(砷化物,近化学计量比 ZnAs,可定制)

  • 电学特性:电阻率与载流子特性可通过成分与工艺调节

  • 成膜一致性:化合物蒸发有助于维持薄膜成分稳定,降低多源共蒸发偏析风险

  • 供货形态:颗粒、块状、片状或定制形态,适配钨舟、钼舟及电子束坩埚等多种蒸发源

通过合理的材料设计与沉积参数控制,可获得致密、均匀且性能可重复的 ZnAs 薄膜。

应用领域(Applications)

砷化锌蒸发材料在多个半导体与功能薄膜领域中具有典型应用,包括:

  • 半导体薄膜沉积:Ⅱ–Ⅴ 族化合物半导体薄膜

  • 电子与微电子器件:功能半导体层、电阻调控薄膜

  • 光电与传感器薄膜:功能响应层

  • 异质结构与多层薄膜:化合物中间层

  • 科研与实验室应用:砷化物相结构、电学与输运性能研究

技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
材料体系 Zn–As(砷化物) 决定半导体与电学特性
纯度 99.9% – 99.99% 影响薄膜缺陷与稳定性
形态 颗粒 / 块状 / 片状 适配不同蒸发源
尺寸范围 1 – 10 mm(颗粒)或定制 影响蒸发速率与均匀性
蒸发方式 热蒸发 / 电子束蒸发 兼容主流 PVD 系统

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要优势 典型应用
砷化锌蒸发材料(ZnAs) 成分稳定、电学可调 功能半导体薄膜
砷化镓(GaAs) 工艺成熟 光电与高速器件
锑化锌(ZnSb) 热电性能 热电与功能薄膜
碲化锌(ZnTe) 光学性能好 光电与显示薄膜

常见问题(FAQ)

Q1:ZnAs 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发和电子束蒸发,尤其适合砷化物薄膜制备。

Q2:ZnAs 薄膜的主要优势是什么?
A:化学计量稳定,电学与半导体性能可调。

Q3:材料成分可以定制吗?
A:可以,可根据器件或研究需求定制 Zn/As 比例。

Q4:是否适合连续或批量蒸发?
A:适合,在合理工艺条件下蒸发稳定、重复性良好。

Q5:与多源共蒸发相比有何优势?
A:化合物蒸发更有利于薄膜成分一致性控制。

Q6:膜层附着力如何?
A:对玻璃、硅及多种基底具有良好附着性能。

Q7:是否可用于多层或异质结构?
A:可以,常作为功能化合物中间层使用。

Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:砷化物能带结构、载流子输运及界面效应研究。

包装与交付(Packaging)

所有砷化锌蒸发材料在出厂前均经过成分、尺寸与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封包装,配合防震缓冲材料与出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持高纯度与稳定性能。

结论(Conclusion)

砷化锌蒸发材料(ZnAs)凭借其稳定的化学计量、可调的电学特性以及成熟的化合物蒸发工艺表现,在功能半导体薄膜与科研级材料研究中展现出重要价值。对于需要成分稳定、性能可控及高重复性沉积的真空蒸发应用,ZnAs 是一种兼顾研究深度与工程潜力的优选蒸发材料。

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