描述
高性能砷化铟晶圆：苏州科跃材料科技有限公司供应
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度砷化铟（InAs）晶圆，具有窄带隙、极高的电子迁移率以及良好的红外响应特性，是红外探测器、高速电子器件和量子器件领域的理想材料。
砷化铟晶圆因其优异的电学和光学性能，广泛应用于红外成像系统、热电探测器、场效应晶体管（HEMT）以及太赫兹和量子电子研究等高科技前沿领域。其与其他III-V族材料（如InP、GaSb）晶格匹配性好，适用于异质结构生长和外延制备。
苏州科跃材料科技有限公司支持各种尺寸、晶向、掺杂和表面处理方式的InAs晶圆定制，服务科研及产业用户，确保材料质量稳定、性能卓越。
砷化铟晶圆规格参数
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尺寸：10×10 mm、15×15 mm、20×20 mm、25×25 mm、直径1″、2″、3″（可定制）
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厚度：300–650 μm（根据尺寸定制）
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晶向：<100>、<110>、<111>
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表面处理：单面抛光（SSP）、双面抛光（DSP）
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掺杂类型：无掺杂（Intrinsic）、硫（S）、硒（Se）、锡（Sn）掺杂（N型），锌（Zn）掺杂（P型）
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导电类型：N型、P型
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电阻率范围：0.001–10 Ω·cm（可选）
砷化铟晶圆物理性质
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化学式：InAs
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晶体结构：锌矿结构（Zinc Blende）
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晶格常数：a = 6.0583 Å
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禁带宽度：0.354 eV（300 K）
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电子迁移率：~33,000 cm²/V·s（300 K）
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熔点：942 °C
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密度：5.67 g/cm³
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折射率：3.51 @ 10 μm
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红外透过波段：1–12 μm
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