砷化铅靶材（PbAs）

产品简介（Introduction）

砷化铅（PbAs）是一种由铅（Pb）与砷（As）形成的 IV–V 族化合物材料，具有较宽的光吸收范围、可调电子结构、稳定的化学键以及良好的薄膜成膜性能。PbAs 在红外光电探测、功能薄膜、热电研究以及新型半导体材料领域具有重要研究与应用价值。

砷化铅靶材（PbAs Sputtering Target）主要用于磁控溅射制备 PbAs 功能薄膜，可实现均匀致密、化学计量可控的薄膜结构，适用于科研院所和先进光电材料企业。

产品详情（Detailed Description）

PbAs 靶材常采用以下工艺制备：

• 封管直接合成（Sealed Ampoule Synthesis）

• 固相反应 + 稳定烧结（Solid-State Reaction）

• 真空热压（Vacuum Hot Pressing, HP）

• CIP + 高温致密化工艺（Cold Isostatic Pressing）

主要特性：

• 纯度：99.9%–99.999%（3N–5N）

• 化学计量比：Pb:As = 1:1，可定制偏铅/偏砷版本

• 外观：深灰/黑灰色陶瓷质靶材

• 致密度：≥95–98% TD

• 晶体结构：与合成条件相关的半导体/金属化结构

• 尺寸：⌀25–300 mm、矩形靶可定制

• 厚度：3–6 mm

• 背板（可选）：Cu/Ti/Mo/Indium bonding

材料优势：

• 高纯度使薄膜缺陷低、均匀度好

• 化学计量稳定、薄膜成分易控制

• 高致密度减少颗粒喷溅

• 适用于 HV/UHV 系统与 RF 溅射

应用领域（Applications）

● 红外光电器件（Infrared Optoelectronics）

Pb–X（如 PbS、PbSe、PbTe）体系是成熟的红外材料，而 PbAs 作为相关拓展材料用于：

• 中波红外（MWIR）吸收层

• 短波—中波探测结构调控

• 光敏薄膜

• 热成像与光电转换器件

PbAs 拥有可调带隙，可作为多层结构调控材料使用。

● 热电薄膜材料（Thermoelectric Thin Films）

PbAs 与 PbTe 等同属热电材料体系，可用于：

• 微型热电发电薄膜

• 温差能量采集模块

• 热—电转换薄膜

• 多层热电结构调控

其载流子行为可通过化学计量调整。

● 新型半导体薄膜（Advanced Semiconducting Films）

PbAs 的可调电子结构，使其在以下方向具有价值：

• 功能复合薄膜

• 异质结界面材料

• 能带工程与调控层

• 低维结构的电子行为研究

● 量子材料与基础研究（Quantum & Fundamental Research）

由于其独特电子结构，PbAs 可用于：

• Pb-X 系列能带结构研究

• 电子关联特性分析

• 新型窄带隙体系探索

• 原型光电/量子器件开发

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 双层防静电袋包装

• 多层抗震保护

• 出口级木箱固定

• 提供完整质量检测报告（成分 / 密度 / XRD / 外观）

确保运输与储存过程中的安全与洁净度。

结论（Conclusion）

砷化铅靶材（PbAs）凭借其优良的红外吸收能力、可调电子结构以及高纯、高致密成膜优势，在红外探测、热电薄膜、半导体材料和量子材料研究中具有重要价值。采用高纯度 PbAs 靶材有助于获得稳定、均匀、低缺陷的薄膜，是科研机构和先进光电企业的重要选择。

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