氮化镓靶材（GaN）

产品简介（Introduction）

氮化镓（GaN）是一种具有宽带隙、高击穿电压、高热导率和优异电子迁移率的III-V族半导体材料，是目前高频、高功率电子器件、光电子器件以及紫外/蓝光发光二极管（LED）制造中的核心材料。

氮化镓靶材（GaN Sputtering Target）可用于制备高质量 GaN 薄膜层，常用于微电子、光电、功率器件结构中的缓冲层、功能层或外延前期薄膜生长。其薄膜具有高击穿场强、低缺陷密度、良好热稳定性等特征，是先进半导体制造的重要薄膜来源。

产品详情（Detailed Description）

GaN 靶材的制备通常采用以下工艺：

• 高温固相反应（High-Temperature Solid-State Reaction）

• 热等静压烧结（HIP）

• 真空烧结（Vacuum Sintering）

• CIP + 高温烧结

典型性能与规格：

• 纯度：99.9%（3N）– 99.999%（5N）

• 相结构：六方纤锌矿结构

• 致密度：≥ 95%–99% 理论密度（TD）

• 尺寸：直径 25–300 mm，可定制矩形靶

• 厚度：3–6 mm，可按设备需求调整

• 颜色：深灰色至蓝灰色

• 背板：Cu / Mo / Ti / In bonding（高功率溅射推荐）

选择高致密度 GaN 靶材能够带来：

• 更稳定的溅射速率

• 更低颗粒生成

• 更均匀的薄膜成分分布

• 更长的靶材寿命

• 更可控的薄膜应力与晶体取向

GaN 是典型硬脆陶瓷材料，因此工艺控制与靶材致密性对薄膜质量尤为关键。

应用领域（Applications）

● 半导体功率器件（Power Electronics — 主流应用）

GaN 薄膜用于：

• 高电子迁移率晶体管（HEMT）

• 功率放大器（PA）

• 高频 RF 器件

• 车载充电系统（OBC）

• 5G 基站与雷达器件

其高击穿场强与高电子迁移率是硅器件无法替代的优势。

● 光电器件（Optoelectronics）

GaN 是蓝光、紫外光电子结构的关键材料：

• LED / Micro-LED

• 激光二极管（LD）

• 紫外探测器（UV PD）

常与 AlN、InN 组合形成 AlGaN / InGaN 多量子阱结构。

● 外延缓冲层与模板（Epitaxial Layers）

溅射 GaN 薄膜可作为：

• MOCVD 外延前的种子层

• 缓冲层结构

• 晶格调节层

• 高温稳定功能膜

其表面质量影响后续外延生长质量。

● 电学、压电与传感应用

GaN 薄膜适用于：

• 压电器件

• 微机电系统（MEMS）

• 高温传感器

• 晶体管结构的阻挡层

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空铝塑袋密封

• 防静电包装

• 多层防震保护结构

• 气密包装防受潮

• 出口认证木箱运输

• 每片靶材附唯一序列号 + 检测报告

确保运输过程中的完整性与材料稳定性。

结论（Conclusion）

氮化镓靶材（GaN）凭借其宽带隙、高迁移率、高耐压与优越热稳定性，是下一代半导体、光电、RF 及功率电子技术的核心薄膜材料。高纯度、高致密度 GaN 靶材可显著提升薄膜质量，是科研开发与产业化生产的重要选择。

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