氮化镓晶圆(GaN)

苏州科跃 Gallium Nitride Wafers:精密与性能的全新定义

苏州科跃致力于生产高品质的氮化镓(GaN)晶圆,依托先进的技术实力与精湛的制造工艺,提供卓越的产品与服务。作为半导体材料领域的知名供应商,苏州科跃专注于为客户提供可靠、高精度的解决方案,以满足不断变化的市场需求。

我们的 GaN 晶圆以优异的一致性和先进的制造工艺脱颖而出,在行业中树立了标杆。秉承持续创新的理念,苏州科跃始终走在晶圆生产技术的前沿,以高性能、稳定可靠的材料推动技术发展。

氮化镓晶圆规格

规格 参数
尺寸 10.0 mm × 10.5 mm、14.0 × 15.0 mm、2″、4″
厚度 400 μm ± 30 μm / 450 μm ± 30 μm
抛光 正面:Ra < 0.2 nm,Epi-ready 抛光处理
背面:精细研磨
晶向 C轴 (0001) ± 0.5°
TTV < 15 μm
弯曲度 < 20 μm

氮化镓晶圆物理性能

性能参数 数值
材料 GaN
导电类型 N 型
电阻率 (300K) < 0.02 Ω·cm / < 0.2 Ω·cm / > 1E8 Ω·cm
位错密度 (EPD 平均值) < 5 × 10⁶ cm⁻²
可用表面积 > 90%
等级 量产级、科研级、样品级

探索苏州科跃氮化镓晶圆所带来的卓越性能与精密制造,助力下一代半导体技术发展。