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氮化锌（ZnN 或 ZnₓNᵧ）是一种新型氮化物半导体材料，具有可调带隙、高电子迁移率、良好的光学透明性以及潜在的 n 型导电特性。作为 ZnO、Zn₃N₂ 等锌基氮化物体系的重要成员，ZnN 在透明电子器件、光电薄膜、传感器以及新型半导体材料研究中受到越来越多的关注。
采用 ZnN 溅射靶材，可在磁控溅射条件下沉积成分可控、结构均匀的氮化锌薄膜，是科研与前沿器件开发的重要材料来源。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、成分可定制的 ZnN 溅射靶材，适用于 RF / DC 磁控溅射及反应溅射工艺。
纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）
化学组成：ZnN / ZnₓNᵧ（可按需调控 Zn:N 比例）
尺寸范围：Φ25–300 mm
厚度：3–6 mm（支持定制）
形状：圆形靶、矩形靶、阶梯靶、异形靶
制造工艺：真空烧结、热压（HP）、CIP/HIP
致密度：≥95% 理论密度
背板结合：Cu / Ti 背板，支持铟焊（Indium Bonding）
带隙可调（随成分与工艺变化）
具备良好的 n 型导电潜力
薄膜透明度高，适合透明电子学
与 ZnO、AlN、GaN 等材料体系兼容
成膜均匀性好，适合多层与异质结构
氮化锌（ZnN）溅射靶材主要应用于以下方向：
用于透明导电半导体薄膜、TFT 器件及透明电极结构研究。
适用于光电探测、气体传感、环境感知等薄膜器件。
作为 Zn 基氮化物体系的重要研究材料，用于能带工程与载流子调控。
可与 ZnO、AlN、GaN 等材料构建异质结或复合薄膜。
用于研究 Zn–N 体系的晶体结构、电学与光学特性。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–4N | 高纯度有助于降低薄膜缺陷 |
| 化学组成 | ZnN / ZnₓNᵧ | 可按需求定制 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配主流溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射稳定性 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜致密性与均匀性 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 改善散热与结构稳定性 |
| 材料 | 特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| ZnN | 带隙可调、透明、n 型潜力 | 透明电子、半导体研究 |
| ZnO | 宽禁带、成熟体系 | TCO、光电器件 |
| Zn₃N₂ | 高导电性 | 半导体与传感器 |
| AlN | 高热导、宽禁带 | 电子与光电器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| ZnN 靶材适合 RF 还是 DC 溅射？ | 通常推荐 RF 磁控溅射，也可用于反应溅射。 |
| ZnN 是否容易氧化？ | 薄膜与靶材对氧较敏感，建议真空密封保存。 |
| 可否定制 Zn:N 比例？ | 可以，根据薄膜性能需求进行调控。 |
| ZnN 是否适合透明电子应用？ | 是，ZnN 具有良好的透明与导电潜力。 |
| 是否支持背板铟焊？ | 支持 Cu / Ti 背板及铟焊工艺。 |
| 是否可提供检测报告？ | 可按需提供 ICP、密度、尺寸等检测文件。 |
真空密封包装
干燥剂防潮保护
防震泡沫固定
出口级纸箱或木箱
每片靶材附唯一溯源码与质检记录
氮化锌靶材（ZnN）作为新兴氮化物半导体材料，在透明电子学、光电薄膜及前沿半导体研究中展现出广阔应用前景。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、成分可定制的 ZnN 溅射靶材，为科研与工业薄膜制备提供稳定可靠的材料支持。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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