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氮化锌蒸发材料通常采用高纯锌源,通过受控氮化反应合成 Zn–N 化合物,并经低氧环境下的致密化处理制备而成。由于 Zn–N 体系在热力学上较为敏感,材料在制备与封装过程中需严格控制氧、水汽及游离锌含量,以保证蒸发过程中成分相对稳定、蒸发行为可控、薄膜性能具有重复性。
纯度等级:99.9%(科研常用)
材料体系:Zn–N(氮化锌,ZnN)
物理特性:密度低、易蒸发
电学特性:半导体特性明显,电阻率可调
工艺特性:对沉积温度与氮分压敏感
成膜特点:适合低温沉积,可进行后续退火或转化处理
供货形态:颗粒 / 压片 / 定制形态,适配热蒸发舟或电子束蒸发源
在实际应用中,ZnN 常作为前驱功能层,可通过后续工艺调控薄膜结构与性能。
半导体与电子材料研究:新型 Zn 基化合物薄膜
光电与显示相关研究:功能层与缓冲层探索
低温沉积薄膜体系:柔性电子与温敏基底
可转化薄膜研究:ZnN → ZnO / ZnON 等体系
多层与复合膜结构:与 ZnO、AlN、GaN 等材料组合
科研与实验室应用:材料物性与相变研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学组成 | ZnN | 决定电学与结构特性 |
| 纯度 | ≥99.9% | 控制薄膜缺陷 |
| 沉积温度 | 低–中温 | 适合温敏基底 |
| 电学特性 | 半导体 | 功能薄膜应用 |
| 化学稳定性 | 中等 | 需控制环境与后处理 |
| 供货形态 | 颗粒 / 压片 | 适配蒸发设备 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 工艺灵活 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 氮化锌蒸发材料(ZnN) | 半导体、可转化 | 新型功能薄膜 |
| 氧化锌(ZnO) | 稳定、透明导电 | 光电与显示 |
| 氮化铝(AlN) | 绝缘、耐热 | 功能绝缘层 |
| 氮化镓(GaN) | 高性能半导体 | 功率与光电子 |
Q1:ZnN 适合哪种沉积方式?
A:热蒸发与电子束蒸发均可,常用于低温沉积研究。
Q2:ZnN 薄膜的主要特点是什么?
A:具有半导体特性,且电学性能可通过工艺调控。
Q3:是否适合工业量产?
A:目前更多用于科研与探索型应用。
Q4:ZnN 是否稳定?
A:对氧与水分较敏感,通常需良好封装或后处理。
Q5:是否可转化为其他材料?
A:是的,可通过退火或气氛处理转化为 ZnO 或 ZnON。
Q6:膜层附着力如何?
A:在玻璃、Si 等基底上通常表现良好。
Q7:是否可用于柔性基底?
A:适合低温工艺条件下的柔性电子研究。
Q8:应用更偏科研还是工程?
A:主要偏向科研与材料探索应用。
所有氮化锌蒸发材料在出厂前均经过外观与成分检查,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲包装,以降低材料在运输与储存过程中的环境影响风险。
氮化锌蒸发材料(ZnN)作为一种具有半导体特性和可转化潜力的功能蒸发材料,在新型 Zn 基薄膜、低温沉积及材料物性研究中展现出独特价值。对于关注材料可调性与工艺灵活性的真空蒸发研究应用,ZnN 是一类探索属性强、研究潜力明确的专业蒸发材料选择。
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