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氮化铪（HfN）是一种高性能过渡金属氮化物材料，具有极高的熔点、优异的热稳定性、良好的导电性以及出色的化学惰性。在先进半导体工艺中，HfN 常被用于 扩散阻挡层、金属栅极材料、薄膜电阻及高温稳定功能层，特别适用于对可靠性和耐高温性能要求极高的应用场景。
通过磁控溅射方式使用 HfN 靶材，可沉积出致密、均匀、低缺陷的氮化铪薄膜，广泛应用于 CMOS 器件、微电子结构及前沿薄膜材料研究。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、规格可定制的 HfN 溅射靶材，适配多种 PVD 工艺需求。
纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）
化学组成：HfN / HfNₓ（氮含量可调）
尺寸范围：Φ25–300 mm
厚度范围：3–6 mm（支持定制）
形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、异形靶
制造工艺：热压烧结（HP）、真空烧结、CIP/HIP
致密度：≥95% 理论密度
背板结合：Cu / Ti 背板，支持铟焊（Indium Bonding）
熔点高（>3300 °C），适合高温工艺
电导率优良，可用于导电或半导体功能层
扩散阻挡性能优异
薄膜附着力强，与 Si、SiO₂、High-k 材料兼容
耐腐蚀、耐等离子体刻蚀
氮化铪（HfN）溅射靶材主要应用于以下领域：
用于 Cu / Al 互连结构中，抑制金属扩散，提高器件可靠性。
在先进 CMOS 工艺中用作金属栅材料或过渡层。
用于精密电阻网络、MEMS 及射频器件。
适用于高温环境下的功能薄膜与保护层。
用于研究高熔点氮化物薄膜的电学与结构特性。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–4N | 高纯度有助于降低薄膜缺陷 |
| 化学组成 | HfN / HfNₓ | 氮含量可调 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配主流溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射稳定性 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜致密性 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 改善散热与结构稳定性 |
| 材料 | 主要特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| HfN | 极高熔点、稳定性强 | 半导体阻挡层 |
| TaN | 成熟度高、电阻可调 | CMOS 互连 |
| TiN | 导电性好、装饰性强 | 电极、装饰膜 |
| ZrN | 高硬度、耐磨 | 功能涂层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| HfN 靶材适合 RF 还是 DC 溅射？ | RF 与 DC 均可，视设备和膜层需求而定。 |
| HfN 是否适合高温工艺？ | 是，HfN 具有极高热稳定性。 |
| HfN 与 HfO₂ 工艺是否兼容？ | 兼容，可用于 High-k 栅结构体系。 |
| 是否支持大尺寸靶材？ | 支持 8″ / 12″ 及更大尺寸定制。 |
| 是否提供背板铟焊？ | 支持 Cu / Ti 背板与铟焊。 |
| 是否可提供检测报告？ | 可提供 ICP、密度、尺寸等检测文件。 |
真空密封包装
干燥剂防潮保护
防震泡沫固定
出口级纸箱或木箱
每片靶材附唯一溯源码与质检记录
氮化铪靶材（HfN）凭借其卓越的高温稳定性、扩散阻挡性能及良好的导电特性，在先进半导体制造、金属栅结构及高可靠性薄膜应用中发挥着关键作用。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制规格的 HfN 溅射靶材，为科研与高端制造提供稳定可靠的材料支持。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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