氮化铝粉(AlN)

氮化铝粉(AlN)

产品简介

氮化铝粉(Aluminum Nitride Powder,化学式 AlN)是一种具有 高导热性与优异电绝缘性能 的先进陶瓷材料,兼具高强度、低热膨胀与优异的热震稳定性。
其导热率可达 180–220 W/m·K,是氧化铝的 5–10 倍,被广泛用于 电子封装、散热基板、高功率器件、陶瓷复合材料 等领域。

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度(99.9%–99.99%)氮化铝粉,粒径均匀、比表面积大,可适用于 热压烧结(HP)、热等静压(HIP)、气氛烧结与注射成形(MIM) 等多种工艺。


产品详情

氮化铝粉外观为浅灰或灰白色粉末,具有 六方晶(wurtzite)结构,为一种典型的共价键陶瓷。
通过 直接氮化法(Direct Nitridation)碳热还原氮化法(CRN) 制备,粉体纯度高、氧含量低(≤0.5%),烧结活性好。

主要特点:

  • 高导热率(180–220 W/m·K):优于传统氧化物陶瓷;

  • 低热膨胀系数(4.6×10⁻⁶/K):与硅匹配性好;

  • 高纯度(99.9%–99.99%):保证电绝缘性能;

  • 耐高温、抗热震:适用于极端环境应用;

  • 高烧结活性:可快速致密化,适合陶瓷基板制造。


应用领域

  • 💡 电子封装与散热基板:用于 IGBT、MOSFET、高频功率模块的散热陶瓷。

  • ⚙️ 高温结构陶瓷:用于真空设备、加热元件支撑、密封垫片。

  • 🔋 半导体封装:兼具绝缘与导热性能,替代 BeO 与 Al₂O₃。

  • 🧪 科研与材料开发:用于 AlN 陶瓷靶材、复合材料及热界面研究。

  • 🧩 复合材料添加剂:改善聚合物或金属基复合材料的导热性能。


技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
化学式 AlN 高导热陶瓷材料
纯度 99.9% – 99.99% 杂质少,电绝缘性能优异
晶型 六方晶(Wurtzite) 导热性能优良
平均粒径 0.3 – 3 μm(可定制纳米级 <100 nm) 粒径影响烧结活性
比表面积 3 – 10 m²/g 影响致密化速度
密度 3.26 g/cm³ 理论密度
导热率 180 – 220 W/m·K 优异散热性能
热膨胀系数 4.6×10⁻⁶/K 与硅芯片匹配性佳
抗弯强度 ≥300 MPa 高机械强度
分解温度 >2450°C 极高热稳定性

相关材料对比

材料 主要优势 典型应用
AlN(氮化铝) 高导热、电绝缘 电子封装、散热基板
Si₃N₄(氮化硅) 高强度、抗热震 结构陶瓷、轴承、喷嘴
Al₂O₃(氧化铝) 成本低、工艺成熟 通用绝缘材料
BeO(氧化铍) 导热高但有毒 已逐步被 AlN 替代

常见问题(FAQ)

问题 答案
氮化铝粉的主要用途是什么? 主要用于电子封装、散热陶瓷基板、绝缘部件和科研实验。
导热性能与氧化铝相比如何? 约为氧化铝的 5–10 倍,导热率可达 220 W/m·K。
是否具有电绝缘性? 是的,电阻率高达 10¹² Ω·cm,适用于绝缘场合。
粉体是否易氧化? 在空气中略微吸湿,建议在惰性气体或真空环境下保存。
可否用于注射成形或热压? 可,粉体具有高流动性与高烧结活性。
是否有纳米级粉体? 可提供 100 nm 以下高比表面积纳米粉。
是否可用于靶材制备? 是的,适合 AlN 溅射靶材烧结。
烧结温度是多少? 典型温度范围为 1750–1900°C。
可否替代 BeO 材料? 可以,AlN 导热高且无毒环保。
包装方式? 真空密封防潮包装,惰性气体保护。

包装与交付

所有氮化铝粉均经过 ICP 杂质分析、XRD 晶相检测与粒径测试
采用 真空密封包装 + 氩气保护,防止氧化与水解。
提供 100 g、500 g、1 kg、25 kg 等规格,支持科研与工业批量供应。


结论

氮化铝粉凭借其 高导热、电绝缘、低热膨胀与无毒环保特性,已成为电子封装和高端散热领域的关键基础材料。
苏州科跃材料科技有限公司可提供不同粒径与纯度等级的 AlN 粉体,并支持定制烧结级与纳米级产品。

📩 如需了解更多技术参数或获取报价,请联系:sales@keyuematerials.com