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氮化钽（TaN）是一种典型的过渡金属氮化物材料，兼具高熔点、高硬度、优异的热稳定性、良好的导电性与出色的化学惰性。在半导体制造中，TaN 被广泛用作 扩散阻挡层（Diffusion Barrier）、金属互连辅助层、薄膜电阻材料，是先进 CMOS 工艺和集成电路制造中不可或缺的关键材料之一。
通过磁控溅射方式使用 TaN 靶材，可稳定制备致密、均匀、低缺陷的氮化钽薄膜，满足纳米级器件和高可靠性薄膜工艺需求。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、多组成可选的 TaN 溅射靶材，适配主流半导体与科研级 PVD 工艺。
纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）
化学组成：
TaN
TaNₓ（N 含量可调，用于调控电阻率）
尺寸范围：Φ25–300 mm
厚度范围：3–6 mm（支持定制）
形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、异形靶
制造工艺：热压烧结（HP）、真空烧结、CIP/HIP
致密度：≥95% 理论密度
背板结合：Cu / Ti 背板，支持铟焊（Indium Bonding）
高熔点（>3000 °C），耐高温性能优异
低扩散性，适合金属互连阻挡层
电阻率可通过 Ta:N 比例调节
薄膜附着力强，与 Si、SiO₂、Low-k 材料兼容
耐腐蚀、耐等离子体刻蚀
氮化钽（TaN）溅射靶材主要应用于以下领域：
用于 Cu / Al 互连结构中，防止金属原子向介电层扩散。
作为过渡层提升界面稳定性与可靠性。
用于精密电阻网络、模拟电路、MEMS 器件。
在微机电、传感器和特殊器件中作为高稳定性功能层。
用于研究氮化物薄膜的电学、结构与界面行为。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–4N | 高纯度有助于降低薄膜缺陷 |
| 化学组成 | TaN / TaNₓ | 可调电阻率与结构 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配主流溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射寿命与均匀性 |
| 致密度 | ≥95% TD | 降低颗粒、提升膜质量 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 提升散热与结构稳定性 |
| 材料 | 主要特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| TaN | 优异阻挡性能、电阻可调 | 半导体互连 |
| TiN | 导电性好、成熟度高 | 电极、装饰膜 |
| WN | 高密度、高稳定性 | 阻挡层、硬膜 |
| Ta | 高熔点金属 | 电极、溅射靶 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| TaN 靶材适合 RF 还是 DC 溅射？ | RF 与 DC 均可，视膜层需求而定。 |
| TaN 薄膜电阻率如何调节？ | 通过 Ta:N 比例、溅射气氛与功率调节。 |
| 是否适合先进 CMOS 工艺？ | 是，TaN 是成熟的半导体阻挡层材料。 |
| 是否支持大尺寸晶圆设备？ | 支持 8″ / 12″ 设备定制。 |
| 是否提供背板铟焊结构？ | 支持 Cu / Ti 背板与铟焊。 |
| 是否可提供检测报告？ | 可提供 ICP、密度、尺寸等报告。 |
真空密封包装
干燥剂防潮保护
防震泡沫固定
出口级纸箱或木箱
每片靶材附唯一溯源码与质检记录
氮化钽靶材（TaN）凭借其卓越的扩散阻挡性能、可调电学特性与高温稳定性，已成为半导体互连结构和薄膜电阻应用中的核心材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制规格的 TaN 溅射靶材，为科研与先进制造提供可靠材料保障。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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