氮化硅靶材（SiN / Si₃N₄）

产品简介（Introduction）

氮化硅（SiNₓ，常见为 Si₃N₄）是一种应用极为广泛的无机非金属材料，具有 优异的电绝缘性能、高介电强度、良好的热稳定性、耐腐蚀性以及出色的机械强度。在半导体制造、微电子器件、光学薄膜和保护涂层领域，SiN 薄膜是最重要的功能膜材料之一。

作为磁控溅射靶材，SiN 可用于沉积 致密、低缺陷、应力可控的氮化硅薄膜，广泛应用于介电层、钝化层、扩散阻挡层及光学功能膜。

产品详情（Detailed Description）

• 化学式： Si₃N₄（或 SiNₓ）

• 纯度： 99.9% – 99.99%

• 外观： 深灰色至灰白色陶瓷质感

• 尺寸范围： Ø25–300 mm（支持方形、矩形、异形定制）

• 厚度： 2–6 mm（可按设备与寿命需求定制）

• 致密度： ≥95% 理论密度（可提供高致密版本）

• 制造工艺：

  • 高纯原料合成

  • 冷等静压（CIP）或热压烧结（HP）

  • 真空烧结 / 热等静压（HIP，可选）

  • 精密研磨、倒角与清洗

• 背板选项： Cu / Al / Ti / 铟焊（Indium Bonding）

• 适用工艺： RF 磁控溅射（推荐）、反应溅射（Si + N₂）、离子束沉积

说明：SiN 为绝缘型陶瓷靶材，工业与科研应用中通常采用 RF 溅射。

应用领域（Applications）

• 半导体介电层与钝化层
  用于晶体管、存储器、功率器件的介电绝缘与表面钝化。

• 扩散阻挡层（Diffusion Barrier）
  防止金属与硅基底之间的相互扩散。

• 光学与光电子薄膜
  用于抗反射膜、折射率调控膜及光波导结构。

• 保护与耐腐蚀涂层
  提供优异的化学稳定性和环境防护能力。

• MEMS 与传感器器件
  作为结构层或功能绝缘层使用。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

• SiN 靶材适合 DC 还是 RF？
  绝缘型材料，推荐 RF 溅射。

• SiN 薄膜应力大吗？
  可通过功率、气压与 N₂ 比例调节应力。

• 是否支持 Si-rich / N-rich 定制？
  支持 SiNₓ 成分可控定制。

• 是否建议使用背板？
  中高功率或大尺寸靶材建议使用。

包装与交付（Packaging）

• 单片真空密封包装

• 防静电袋 + 防震泡棉

• 出口级木箱

• 提供纯度、尺寸与批次追溯文件

结论（Conclusion）

氮化硅靶材（SiN / Si₃N₄）凭借其卓越的电绝缘性能、热稳定性和工艺成熟度，是半导体与功能薄膜领域不可或缺的核心材料。苏州科跃材料科技有限公司可为您提供 高纯度、高致密度、全规格定制的 SiN 溅射靶材，满足从科研到量产的多样化需求。

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