氮化硅蒸发材料（SiN）

产品详情（Detailed Description）

氮化硅蒸发材料通常以高纯硅源为基础，通过受控氮化反应与高温合成工艺制备形成稳定的 Si–N 化合物相（常见为 Si₃N₄）。在原料提纯、化学计量控制、相结构稳定与致密化处理的全过程中，严格控制氧、碳等杂质含量，以确保蒸发过程中成分稳定、蒸发行为可控、薄膜介电性能重复性高。

• 纯度等级：99.5% – 99.99%（科研与半导体常用）

• 材料体系：Si–N（氮化硅，SiN / Si₃N₄）

• 电学特性：高电阻率、优良介电性能

• 化学特性：耐腐蚀、耐湿热、化学惰性强

• 热学特性：高温稳定、低热膨胀

• 成膜优势：膜层致密、针孔率低、应力可调

• 供货形态：颗粒 / 块状 / 压片 / 定制形态，适配钼舟、钨舟或电子束坩埚

对于高致密、低缺陷的介电薄膜，电子束蒸发更有利于实现稳定沉积。

应用领域（Applications）

• 半导体器件薄膜：介电层、钝化层、扩散阻挡层

• 微电子与MEMS：结构与绝缘薄膜

• 光学薄膜：减反膜、保护膜、应力调控层

• 显示与光电器件：绝缘与保护层

• 多层复合膜系：与 SiO₂、Al₂O₃、TiO₂ 等材料组合

• 科研与实验室应用：介电与界面工程研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：SiN 适合哪种沉积方式？
A：热蒸发与电子束蒸发均可；高致密介电层建议电子束蒸发。

Q2：SiN 薄膜的主要优势是什么？
A：高绝缘性、致密结构与优异的化学稳定性。

Q3：是否适合半导体工艺？
A：适合，常用于介电、钝化与阻挡层。

Q4：是否可用于光学薄膜？
A：可以，用于减反、保护及应力调控层。

Q5：膜层附着力如何？
A：在 Si、玻璃、金属及陶瓷基底上表现良好。

Q6：是否可与其他材料形成多层膜？
A：可以，常用于介电/功能多层结构设计。

Q7：蒸发过程是否稳定？
A：在合理功率与真空条件下，蒸发过程稳定、重复性高。

Q8：应用更偏科研还是工程？
A：同时适用于科研与成熟工程应用。

包装与交付（Packaging）

所有氮化硅蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案，确保运输与储存过程中材料的成分稳定性与使用可靠性。

结论（Conclusion）

氮化硅蒸发材料（SiN）凭借其优异的电绝缘性能、致密结构与长期稳定性，在半导体、微电子与光学薄膜领域中保持核心地位。对于需要高可靠介电与阻隔性能的真空蒸发薄膜制备应用，SiN 是一类工程成熟、应用广泛且可信度极高的专业蒸发材料选择。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com