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氧化镧蒸发材料采用高纯镧源制备的氧化物粉体,经受控氧化、精确成形与高温烧结工艺处理,确保材料致密、化学计量稳定,适用于高真空与高能束流沉积环境。
典型化学组成:LaO / La₂O₃(按应用需求提供)
纯度范围:99.9% – 99.99%(3N–4N)
材料形态:块状、颗粒状、定制尺寸
制造工艺:高纯粉体 → 成形 → 高温烧结
表面状态:致密、低吸附,适合高真空蒸发
高质量氧化镧蒸发材料有助于:
提升薄膜致密度与界面质量;
获得稳定一致的介电与光学性能;
降低蒸发过程中的成分与相态波动;
满足科研级与器件级对高可靠性薄膜的严格要求。
半导体与微电子:高-k 栅介质、缓冲层、界面工程
光学镀膜:稳定介质层、功能光学薄膜
功能氧化物薄膜:复合氧化物与多层结构基体
能源与电子材料:介电与功能层研究
科研实验:稀土氧化物、薄膜结构与物性研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学组成 | LaO / La₂O₃ | 决定介电与结构性能 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 降低杂质缺陷 |
| 形态 | 块状 / 颗粒 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 熔点 | >2300 °C(La₂O₃) | 适合高温蒸发 |
| 适用工艺 | 电子束蒸发 / 高温热蒸发 | 稀土氧化物常用 |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止吸湿与污染 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 氧化镧(LaO / La₂O₃) | 高介电、界面稳定 | 半导体介质层 |
| 氧化铈(CeO₂) | 氧化还原能力 | 功能氧化物薄膜 |
| 氧化钇(Y₂O₃) | 光学透明性好 | 光学介质层 |
| 氧化铝(Al₂O₃) | 工艺成熟 | 通用介质层 |
Q1:氧化镧蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:推荐电子束蒸发,也可在高温条件下进行热蒸发。
Q2:LaO 与 La₂O₃ 有何区别?
A:工程与应用中以 La₂O₃ 为主要稳定相;LaO 多用于特定研究体系或简化标识。
Q3:氧化镧薄膜适合半导体应用吗?
A:适合,常用于高-k 介质与界面工程。
Q4:沉积过程中是否需要控制氧分压?
A:建议控制,以确保薄膜化学计量与介电性能稳定。
Q5:氧化镧薄膜耐高温吗?
A:耐高温性能良好,适合多种工艺环境。
Q6:颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗?
A:会,均匀颗粒有助于稳定蒸发速率与膜厚控制。
Q7:是否适合科研级实验?
A:非常适合,是稀土氧化物研究中的常用材料。
Q8:材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免吸湿与表面碳酸化。
Q9:是否支持定制规格?
A:支持,可根据蒸发设备与工艺需求定制。
Q10:是否可提供其他镧基复合氧化物?
A:可提供 LaAlO₃、LaNbO₄、LaTaO₄ 等相关材料。
所有氧化镧蒸发材料(LaO)在出厂前均经过严格质量检测,并建立完整批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装,确保运输与储存过程中材料洁净度、成分与蒸发性能稳定。
氧化镧蒸发材料(LaO / La₂O₃)凭借其高介电常数、优异的热化学稳定性与良好的界面兼容性,在半导体介质层、光学镀膜及功能氧化物薄膜领域中具有长期可靠的应用价值。对于追求高一致性、高可靠性与性能可控的薄膜沉积需求,氧化镧是一种成熟、稳健且应用广泛的稀土氧化物蒸发材料选择。
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