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氧化锌（ZnO）单晶基片是一种六方纤锌矿结构（Wurtzite Structure）的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能、高电子迁移率及良好的热稳定性。ZnO 基片在紫外光电子器件、压电器件及高频电子器件研究中具有重要地位，是第三代半导体及功能氧化物外延生长的重要基础材料。
ZnO 具备直接带隙（约 3.37 eV）和较高激子结合能（约 60 meV），适用于紫外发光器件、传感器及透明导电薄膜沉积，是高纯材料体系中兼具光学与电学性能的关键基底。
ZnO 单晶基片采用高纯 ZnO 原料，通过水热法或熔融法生长工艺制备，晶体完整性高，缺陷密度低，适用于外延级薄膜沉积与科研应用。
主要技术参数：
纯度：≥ 99.99%（4N）
晶向：c-plane (0001)、a-plane (11-20)、m-plane (10-10) 可选
尺寸：5 mm × 5 mm、10 mm × 10 mm、Φ10 mm、Φ1″ 等（支持定制）
厚度：0.3 mm – 1.0 mm（可定制）
表面状态：SSP / DSP / Epi-ready
表面粗糙度：Ra < 0.5 nm（Epi-ready 级）
高质量抛光表面可：
提高外延薄膜的结晶质量；
降低界面缺陷与位错密度；
改善光电转换效率；
提升薄膜沉积均匀性与附着力。
ZnO 基片具有良好的热稳定性，通常可耐受 800°C 左右的沉积及退火工艺，适用于 PLD、MBE、磁控溅射及 CVD 等多种薄膜制备方法。
用于外延生长 GaN、ZnMgO 等宽禁带材料，应用于 UV LED、紫外探测器及激光器。
ZnO 本身具有优异的压电性能，可用于高频滤波器、传感器及微机电系统（MEMS）。
在透明导电膜（TCO）、抗反射膜及光学功能涂层研究中，ZnO 提供稳定的晶格匹配平台。
用于外延或复合沉积 ZnO 纳米结构，应用于气体传感与光催化材料研究。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | ≥ 99.99% | 减少杂质影响，提高光电性能 |
| 晶向 | (0001)/(11-20)/(10-10) | 影响外延取向与器件性能 |
| 尺寸 | 5 mm – 2″ | 适配科研与中试设备 |
| 厚度 | 0.3 – 1.0 mm | 提供机械强度与热稳定性 |
| 表面粗糙度 | Ra < 0.5 nm | 提升外延膜层质量 |
| 耐温性能 | ≤ 800°C | 满足主流沉积工艺 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| ZnO | 宽禁带、压电性能优异 | 紫外器件、传感器 |
| GaN | 高功率与高频应用 | LED、功率器件 |
| Al₂O₃（蓝宝石） | 成本较低、机械强度高 | GaN 外延基底 |
| MgO | 良好绝缘性 | 磁性薄膜外延 |
1. ZnO 基片适用于哪些沉积方式？
适用于 PLD、MBE、磁控溅射及 CVD 系统。
2. 是否适合紫外 LED 外延？
是，可用于宽禁带材料的外延生长研究。
3. 可否定制不同晶向？
支持 c-plane、a-plane、m-plane 定制。
4. 表面是否提供 Epi-ready 等级？
可提供单面或双面 Epi-ready 抛光。
5. 是否能承受高温退火？
通常可耐受约 800°C 工艺环境。
6. 是否适用于透明导电膜研究？
是，可作为 TCO 薄膜外延或沉积基底。
7. 是否兼容常见真空夹具？
兼容主流沉积设备标准规格。
8. 是否支持小尺寸切割？
支持定制尺寸与精密加工。
9. 是否附带检测报告？
出厂附晶向及表面检测报告。
10. 是否可用于压电器件研究？
是，ZnO 本身具有良好压电特性。
所有 ZnO 单晶基片在出厂前均经过晶向确认与表面检测，并附唯一追溯编号。
采用真空洁净包装与防震缓冲材料，确保运输过程中基片洁净、无损伤。
氧化锌（ZnO）单晶基片凭借宽禁带特性、优异压电性能与良好的外延兼容性，在紫外光电子、传感器及功能薄膜沉积领域具有广泛应用。其稳定的晶体质量与可控表面特性，为高端科研与新型器件开发提供可靠支撑。
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