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氧化锌镓蒸发材料采用高纯 ZnO 与 Ga₂O₃ 原料,经精确计量、均匀混合与高温烧结工艺制备,确保材料组成稳定、结构致密,适合在高真空与高能束流条件下蒸发。
典型组成:ZnO–Ga₂O₃ 复合氧化物(比例可定制)
纯度范围:99.9% – 99.99%(3N–4N)
材料形态:块状、颗粒状、定制尺寸
制造工艺:固相合成 + 高温烧结
表面状态:致密、低吸附,适合高真空蒸发
高质量 ZnGaO 蒸发材料有助于:
保证蒸发过程中 Zn/Ga 比例稳定;
提高薄膜的致密度与均匀性;
改善透明导电薄膜的电学与光学平衡;
提升科研与中试工艺的重复性与可靠性。
透明导电薄膜(TCO):替代或补充 ITO 的新型透明电极
光电子器件:UV 探测器、透明电子器件
显示与触控技术:透明电极与功能氧化物层
半导体与传感器:宽禁带氧化物功能薄膜
科研实验:载流子调控、能带工程与氧化物电子学研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学组成 | ZnO–Ga₂O₃ | 决定电学与光学性能 |
| Ga 掺杂比例 | 可定制 | 调控载流子浓度 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 降低杂质散射 |
| 形态 | 块状 / 颗粒 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 适用工艺 | 电子束蒸发 / 热蒸发 | 兼容主流 PVD |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止吸湿与污染 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 氧化锌镓(ZnGaO) | 电学可调、透明性好 | 透明导电薄膜 |
| 氧化锌(ZnO) | 工艺成熟 | UV 与透明电子 |
| 氧化铟锡(ITO) | 电阻低 | 显示与触控 |
| 氧化镓(Ga₂O₃) | 超宽禁带 | 功率与探测器 |
Q1:ZnGaO 蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:适用于电子束蒸发与高温热蒸发,适合复合氧化物薄膜制备。
Q2:ZnGaO 与纯 ZnO 相比优势是什么?
A:通过镓掺杂可显著改善电学性能与热稳定性。
Q3:ZnGaO 可用于透明导电薄膜吗?
A:可以,是 ITO 的潜在替代或补充材料之一。
Q4:Ga 含量是否可以定制?
A:可以,根据应用需求定制不同 Zn/Ga 比例。
Q5:薄膜透明度如何?
A:在可见光波段具有高透过率,适合光电应用。
Q6:是否适合高温应用?
A:适合,相较 ZnO 具有更好的热稳定性。
Q7:颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗?
A:会,均匀颗粒有助于稳定蒸发速率与膜厚控制。
Q8:是否适合科研级实验?
A:非常适合,是氧化物电子学研究的热点材料。
Q9:材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免吸湿。
Q10:是否支持定制规格?
A:支持,可按蒸发设备与工艺需求定制形态与尺寸。
所有氧化锌镓蒸发材料在出厂前均经过严格检测并建立完整批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲及出口级包装,确保运输与储存过程中材料的洁净度与性能稳定。
氧化锌镓蒸发材料(ZnGaO)凭借其优异的透明导电潜力、可调电学性能及良好的热稳定性,在透明电子、光电子器件与新型氧化物半导体研究中具有重要价值。对于追求高透明度、高一致性与性能可调性的薄膜沉积应用,ZnGaO 是一种极具潜力的先进复合氧化物蒸发材料选择。
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