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苏州科跃提供高品质氧化锌（ZnO）衬底，非常适合用于 GaN 薄膜外延生长，并广泛应用于光电子、紫外器件及高温电子领域。ZnO 具有 3.73 eV 的带隙及室温下 60 meV 的激子结合能，使其在紫外与可见光发光应用中表现出色。
| 性能参数 | 数值 |
|---|---|
| 材料 | ZnO |
| 生长方法 | MOCVD |
| 晶体结构 | 六方晶系 |
| 晶格常数 (Å) | a = 3.252, c = 5.313 |
| 晶向 | <0001> 3.5º |
| 密度 (g/cm³) | 5.7 |
| 莫氏硬度 | 4.0 |
| 熔点 | 1975°C |
| 热膨胀系数 (CTE) | a 轴：6.5 × 10⁻⁶ /°C；c 轴：3.7 × 10⁻⁶ /°C |
| 塞贝克系数 | 1200 μV/K @ 300°C |
| 热导率 | 0.006 Cal/cm·K |
| 光学透过率 | 厚度 2 mm 时波长 400–600 nm 的透过率 > 50% |
| 规格 | 参数 |
|---|---|
| 尺寸 | 25 × 25 × 0.5 mm、10 × 10 × 0.5 mm、10 × 5 × 0.5 mm、5 × 5 × 0.5 mm |
| 厚度 | 0.5 mm |
| 晶向 | <0001>、<11-20>、<10-10> |
| 抛光 | 单面抛光 (SSP) 或双面抛光 (DSP) |
| 定向精度 | ±0.5° |
| 边缘倒角 | 2°（可选 1°） |
| 晶体角度 | 可根据需求提供特殊尺寸与晶向 |
| 表面粗糙度 (Ra) | ≤ 5 Å（5 μm × 5 μm） |
苏州科跃在 Class 100 洁净袋或晶圆盒中进行封装，并在 Class 1000 洁净室内完成包装，确保产品在运输过程中的安全与洁净。
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