氧化铟锌蒸发材料（InZnO）

产品详情（Detailed Description）

氧化铟锌蒸发材料由高纯 In₂O₃ 与 ZnO 按精确比例复合制备，经固相合成与高温烧结成形，确保材料致密、相组成稳定，适用于高真空热蒸发与电子束蒸发工艺。

• 典型化学组成：InZnO（IZO，In₂O₃–ZnO 复合体系）

• 纯度范围：99.9% – 99.99%（3N–4N）

• 组分比例：可定制（满足不同导电/透光需求）

• 材料形态：块状、颗粒状、定制尺寸

• 制造工艺：固相合成 → 高温烧结 → 成形

高质量 InZnO 蒸发材料可有效：

• 提升薄膜载流子迁移率与电学稳定性；

• 降低薄膜缺陷密度，提高可重复性；

• 改善在低温或柔性基底上的沉积兼容性；

• 实现透明性与导电性的平衡优化。

应用领域（Applications）

• 显示技术：LCD、OLED、Micro-LED 透明电极

• 薄膜晶体管（TFT）：IGZO/IZO 通道或电极层

• 光电器件：透明导电层、光电探测器

• 柔性电子：可弯折显示与可穿戴器件

• 科研实验：TCO 薄膜与氧化物电子学研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ — 聚焦应用）

Q1：InZnO 适合哪种蒸发方式？
A：适用于电子束蒸发与高真空热蒸发，常用于透明导电薄膜制备。

Q2：InZnO 与 ITO 有何主要区别？
A：InZnO 更适合低温沉积，迁移率更高，对柔性基底更友好。

Q3：In/Zn 比例会影响薄膜性能吗？
A：会，比例直接影响电阻率、载流子浓度与透光率。

Q4：是否适合柔性显示应用？
A：非常适合，低温工艺兼容 PI、PET 等基底。

Q5：沉积过程中是否需要氧分压控制？
A：建议控制，以优化薄膜的电学与光学性能。

Q6：薄膜透明度如何？
A：在可见光区具有高透过率，适合显示与光电应用。

Q7：是否适合科研级实验？
A：是的，是 TCO 与氧化物电子学研究的常用材料。

Q8：材料如何储存？
A：建议真空密封、干燥保存，避免吸湿。

Q9：是否支持定制规格与配比？
A：支持，可根据设备与工艺需求定制。

Q10：是否可提供其他透明导电氧化物？
A：可提供 ITO、IGZO、AZO、GZO 等相关材料。

包装与交付（Packaging）

所有氧化铟锌蒸发材料（InZnO）在出厂前均经严格检测并建立批次追溯。采用真空密封、防震缓冲与出口级包装，确保运输与储存过程中材料纯度、成分与蒸发性能稳定。

结论（Conclusion）

氧化铟锌蒸发材料（InZnO / IZO）以其优异的透明导电性能、低温工艺适配性与良好的薄膜一致性，已成为显示与氧化物电子学领域的重要材料选择。对于追求高迁移率、低电阻与柔性应用兼容性的薄膜沉积需求，InZnO 提供了可靠、成熟且面向未来的解决方案。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：
sales@keyuematerials.com