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氧化铟铝靶材(InAlO)是一种由铟(In)与铝(Al)形成的复合透明氧化物靶材,具有优异的透明导电性能、出色的光学稳定性、较低的载流子散射率和良好的薄膜均匀性。In–Al–O 体系是新一代透明氧化物半导体(TOS)和透明导电材料(TCO)中的重要分支,广泛应用于高端显示、触控、光电器件以及薄膜晶体管(TFT)技术领域。
与传统 ITO 相比,InAlO 在可加工性、薄膜热稳定性、环境稳定性与透明度方面具有显著优势,并且适用于柔性电子与低温沉积环境。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密、可定制化的 InAlO 溅射靶材。产品通过冷等静压(CIP)成型、高温烧结、精密研磨等工艺生产,确保靶材成分均匀、结构致密,适用于 RF / DC / 脉冲磁控溅射系统。
产品规格:
纯度: 99.9%–99.99%
尺寸: Ø25–Ø300 mm 圆形靶,可定制矩形靶
厚度: 3–6 mm(可定制)
化学计量比: In:Al 比例可根据科研需求调整
制造工艺: CIP 成型 + 高温烧结 + 精磨
背板: Cu / Ti 背板或铟焊 In-Bonding
外观: 深灰~黑色高密陶瓷靶材表面,质地细腻
性能优势:
高透明度与高电导率兼具
更高的环境稳定性(抗湿度、抗氧化)
热稳定性强,适合高温退火应用
薄膜平整度和均匀性优异
相比 ITO 更适合柔性电子与低温玻璃/聚酰亚胺基底
触摸屏(Touch Panel)
OLED / LCD 显示
Micro-LED 光电元件
光伏太阳能电池透明电极
透明 TFT(TTFT)
氧化物 TFT(Oxide TFT)
柔性显示器
折射率调控涂层
耐候透明薄膜
多层光学干涉膜
功能过渡层
调制层、吸收层
多层结构匹配层
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 保证薄膜透明度和导电性能一致性 |
| 密度 | ≥ 90% 理论密度 | 提高膜层均匀性,减少颗粒 |
| 尺寸 | Ø25–Ø300 mm | 适配各种科研与量产设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定靶材使用寿命与沉积效率 |
| In:Al 比例 | 支持定制 | 影响薄膜的载流子浓度与光学性能 |
| 背板 | Cu / Ti / In 焊接 | 提升散热与结构稳定性 |
| 工艺路线 | CIP + 烧结 + 精磨 | 获得高致密度和低缺陷结构 |
| 材料 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|
| InAlO | 高透明度、高稳定性、低散射率 | 透明电极、TFT |
| ITO | 成熟度高、导电强 | 显示触控但成本高 |
| ZnO-Al(AZO) | 成本低、环保 | TCO 材料但性能不及 InAlO 稳定 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| InAlO 能否替代 ITO? | 部分高端应用可替代,尤其适用于柔性与高稳定需求。 |
| 是否适用 RF / DC 溅射? | 完全适用,支持多种磁控溅射方法。 |
| In:Al 比例可以定制吗? | 可以,可按科研需求调整导电率与透明度。 |
| 是否建议使用背板? | 大尺寸靶材建议使用 Cu/Ti 背板以改善散热。 |
| 是否适用于柔性电子? | 是的,较低温工艺适合 PI、PET 基底。 |
| 可否提供材料数据? | 可提供 XRD、SEM、密度、EDS 等分析报告。 |
| 薄膜是否需要退火? | 可根据应用采用低温或中温退火提升性能。 |
| 靶材是否易开裂? | 高致密烧结工艺确保良好机械强度。 |
| 是否支持阶梯靶、矩形靶? | 全部支持定制。 |
| 是否用于光伏? | 是,可作为透明电极材料。 |
每片 InAlO 靶材出厂前均进行以下检测:
纯度
密度与显微结构
尺寸公差
成分均匀性
表面粗糙度
并贴附唯一追踪编号。
包装方式:
真空密封
防震泡沫保护
出口级木箱
确保运输与储存无污染无损伤。
氧化铟铝靶材(InAlO)凭借其卓越的透明导电性能、优异的稳定性与薄膜兼容性,在显示技术、透明电子、高端光电器件以及柔性器件中具有重要应用价值。苏州科跃提供高纯、高致密并可定制的 InAlO 靶材,为高端薄膜制备提供可靠材料支持。
如需更多规格、测试报告或报价,请联系:
sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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