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氧化钼蒸发材料采用高纯 MoO₃ 粉体,经精确成形与致密化处理,确保材料纯净、升华稳定,适用于高真空蒸发环境。
化学组成:MoO₃
纯度范围:99.9% – 99.99%(3N–4N)
材料形态:块状、颗粒状、定制尺寸
制造工艺:高纯粉体 → 成形 → 致密化处理
蒸发特性:低温升华、速率稳定
高质量 MoO₃ 蒸发材料可有效:
提升界面能级匹配与载流子注入效率;
改善薄膜致密度与厚度均匀性;
降低器件起始电压与功耗;
提高有机与无机复合器件的长期稳定性。
有机电子与光电器件:OLED、OPV、OTFT 的 HIL/HTL
钙钛矿与叠层器件:界面调控与载流子选择层
透明电子与显示技术:功能氧化物界面层
传感与功能薄膜:表面电性与化学响应调控
科研实验:能级工程、界面物理与薄膜机理研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学组成 | MoO₃ | 决定能级与电学特性 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 降低杂质对界面影响 |
| 形态 | 块状 / 颗粒 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 升华温度 | 较低(适合热蒸发) | 有利于温和成膜 |
| 适用工艺 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 有机电子常用 |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止吸湿与还原 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 氧化钼(MoO₃) | 高功函数、强受体 | HIL/HTL、界面层 |
| 氧化钨(WO₃) | 稳定、受体型 | 有机电子界面 |
| 氧化钒(V₂O₅) | 高功函数 | 空穴注入层 |
| PEDOT:PSS | 溶液法、易加工 | 有机器件 HTL |
Q1:MoO₃ 适合哪种蒸发方式?
A:非常适合热蒸发,也可用于电子束蒸发。
Q2:MoO₃ 在 OLED 中的作用是什么?
A:作为空穴注入/传输层,改善能级匹配并提升效率。
Q3:MoO₃ 薄膜厚度通常多大?
A:常见为 1–10 nm,用于界面调控。
Q4:沉积过程中需要引入氧气吗?
A:通常不需要,保持高真空即可获得稳定薄膜。
Q5:MoO₃ 薄膜是否透明?
A:在可见光区具有良好透明性,适合光电器件。
Q6:颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗?
A:会,均匀颗粒有助于稳定蒸发速率。
Q7:是否适合科研级应用?
A:非常适合,是界面工程研究的常用材料。
Q8:材料如何储存?
A:建议真空密封、避光保存,防止吸湿与还原。
Q9:是否支持定制规格?
A:支持,可根据蒸发舟或坩埚定制。
Q10:是否可提供其他钼基氧化物?
A:可提供 WO₃、V₂O₅ 等多种过渡金属氧化物。
所有氧化钼蒸发材料(MoO₃)在出厂前均经过严格质量检测并建立批次追溯。采用真空密封、防震缓冲与出口级包装,确保运输与储存过程中材料纯度与蒸发性能稳定。
氧化钼蒸发材料(MoO₃)凭借其高功函数、低温可控蒸发与卓越的界面调控能力,在有机电子、光电器件与先进界面工程中具有不可替代的价值。对于追求高效率、高一致性与长期稳定性的薄膜沉积应用,MoO₃ 是一种成熟、可靠且应用广泛的功能氧化物蒸发材料选择。
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