氧化钨蒸发材料（WO₃）

产品详情（Detailed Description）

氧化锌蒸发材料采用高纯 ZnO 粉体原料，经精确成形与高温烧结制备，确保材料致密度高、化学计量稳定，满足高真空蒸发与高能束流沉积需求。

• 化学组成：ZnO

• 纯度范围：99.9% – 99.99%（3N–4N）

• 材料形态：块状、颗粒状、定制尺寸

• 制造工艺：高纯粉体 → 成形 → 高温烧结

• 表面状态：致密、低吸附，适合高真空蒸发

高质量 ZnO 蒸发材料有助于：

• 保证蒸发过程中成分稳定；

• 提高薄膜致密度与厚度均匀性；

• 改善薄膜的光学透明性与电学一致性；

• 提升工艺重复性与设备运行稳定性。

应用领域（Applications）

• 透明导电与功能薄膜：透明电极、窗口层

• 光电子器件：紫外探测器、LED 相关薄膜

• 传感器技术：气体传感、光学与功能传感薄膜

• 显示与光学镀膜：透明功能层与保护层

• 科研实验：宽禁带半导体与氧化物电子学研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ — 聚焦应用）

Q1：ZnO 蒸发材料适合哪种蒸发方式？
A：适用于电子束蒸发，也可在高温条件下进行热蒸发。

Q2：ZnO 薄膜是否透明？
A：是的，在可见光与近紫外波段具有高透过率。

Q3：ZnO 可以作为透明导电薄膜吗？
A：可以，通过掺杂（如 Ga、Al）可显著提升导电性。

Q4：ZnO 薄膜适合高温应用吗？
A：适合，具有良好的热稳定性与化学稳定性。

Q5：颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗？
A：会，均匀颗粒有助于稳定蒸发速率与膜厚控制。

Q6：ZnO 与 ITO 相比有什么优势？
A：ZnO 原料更丰富、成本更低，适合大面积应用。

Q7：是否适合科研级应用？
A：非常适合，是宽禁带半导体研究的常用材料。

Q8：材料如何储存？
A：建议真空密封保存，避免吸湿。

Q9：是否支持定制规格？
A：支持，可根据蒸发设备与工艺需求定制。

Q10：是否可提供掺杂型 ZnO？
A：可提供 Al 掺杂或 Ga 掺杂 ZnO 蒸发材料。

包装与交付（Packaging）

所有氧化锌蒸发材料在出厂前均经过严格检测并建立批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲及出口级包装，确保运输与储存过程中材料洁净度与性能稳定。

结论（Conclusion）

氧化锌蒸发材料（ZnO）凭借其优异的光学透明性、宽禁带特性与成熟的工艺适配性，在透明电子、光电子器件与功能薄膜领域中具有长期稳定的应用价值。对于追求高一致性、高可靠性与可扩展性的薄膜沉积需求，ZnO 是一种成熟且性价比突出的氧化物蒸发材料选择。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：
sales@keyuematerials.com