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氧化钒蒸发材料采用高纯钒源,通过受控氧化与高温固相合成工艺制备,并经致密化处理以满足真空蒸发需求。通过严格控制氧含量,可获得适用于不同工艺窗口的 VO 类蒸发材料。
典型化学体系:VOₓ(x≈1,可按需求控制)
纯度范围:99.9% – 99.99%(3N–4N)
材料形态:块状、颗粒状、定制尺寸
制造工艺:受控氧化 + 高温烧结
表面状态:致密、低吸附,适合高真空蒸发
高质量 VO 蒸发材料有助于:
提高蒸发过程的成分可控性;
改善薄膜相组成与均匀性;
有利于相变或电学行为的稳定重现;
满足科研级对氧化态精细调控的需求。
相变与智能窗薄膜:VO₂ 相关体系前驱体
电子与存储器件:阻变存储(ReRAM)、功能氧化物薄膜
传感器技术:温度、气体与应变传感薄膜
光学与调制薄膜:红外调控与功能光学层
科研实验:强关联电子体系与相变物性研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学体系 | VOₓ(x≈1,可控) | 决定薄膜相结构 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 降低杂质影响 |
| 形态 | 块状 / 颗粒 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 适用工艺 | 电子束蒸发 / 热蒸发 | 兼容主流 PVD |
| 氧分压敏感性 | 高 | 影响最终相态 |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止氧含量变化 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 氧化钒(VO) | 氧化态可调 | 相变与功能薄膜 |
| 二氧化钒(VO₂) | 金属–绝缘体转变 | 智能窗 |
| 五氧化二钒(V₂O₅) | 高氧化态 | 电池与电化学 |
| 氧化钛(TiO₂) | 稳定性高 | 通用功能薄膜 |
Q1:VO 蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:适用于电子束蒸发与受控热蒸发,需配合氧分压调节。
Q2:VO 与 VO₂ 有什么关系?
A:VO 常作为前驱体,通过沉积与退火可转化为 VO₂ 等相态。
Q3:沉积过程中氧气是否重要?
A:非常重要,氧分压直接决定薄膜的相组成与性能。
Q4:VO 薄膜是否具有相变特性?
A:在合适工艺条件下可形成具有相变行为的氧化钒薄膜。
Q5:是否适合科研级实验?
A:非常适合,是强关联电子材料研究的热点体系。
Q6:颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗?
A:会,均匀尺寸有助于蒸发速率与膜厚控制。
Q7:是否可提供其他氧化钒形态?
A:可提供 VO₂、V₂O₃、V₂O₅ 等蒸发材料。
Q8:材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免氧含量变化。
Q9:是否支持定制规格?
A:支持,可按设备与工艺需求定制。
Q10:是否适合产业化应用?
A:适合中试与特定应用量产,需严格工艺控制。
所有氧化钒蒸发材料在出厂前均经过严格检测,并建立批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲及出口级包装,确保在运输与储存过程中材料成分稳定、性能可靠。
氧化钒蒸发材料(VO)凭借其多价态特性与高度可调的物性,在相变薄膜、功能电子器件及前沿材料研究中展现出独特优势。对于需要精细调控相结构、电学或光学行为的薄膜沉积应用,VO 是一种专业性强、科研与工程价值并重的氧化物蒸发材料选择。
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