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氧化钐镍(SmNiO)是一类重要的稀土镍氧化物靶材,属于著名的镍酸稀土(RNiO₃)体系。SmNiO 薄膜以其显著的金属–绝缘转变(Metal–Insulator Transition, MIT)、可调电阻特性、强关联电子行为以及独特的光电响应而受到科研界的广泛关注。
因其电阻率随温度、应力或外场可显著调控,SmNiO 常用于新型电子器件、神经形态计算(Neuromorphic Computing)、敏感薄膜、高级逻辑材料与基础物性研究,是先进电子材料领域的核心研究对象之一。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度的 SmNiO 溅射靶材,通过精准控制粉末配比、晶相纯度及烧结条件,确保靶材在长时间溅射过程中的稳定性与成膜一致性。
典型规格参数:
纯度: 99.9%(3N)
尺寸: Φ25–300 mm,可定制矩形靶
厚度: 3–6 mm
密度: ≥ 90–95% TD
制造工艺: CIP 等静压 + 高温固相烧结
可选工艺: HIP 热等静压(进一步提升致密度)
外观: 深灰黑陶瓷质感,结构紧密
背板(可选): Cu / Ti / Mo + Indium Bonding(增强散热能力)
高一致性化学计量比:确保 Sm:Ni:O 元素成膜比例稳定
高致密度降低溅射异常:减少掉块、崩边、局部泄露现象
表面平整度优异:可获得更加均匀致密的功能薄膜
适用多工艺:兼容 RF、DC、脉冲溅射
适合复杂氧化物薄膜生长:如外延膜、多层结构等
SmNiO 溅射靶材在先进电子材料研究中具有广泛应用,包括:
金属–绝缘转变(MIT)薄膜研究
神经形态计算材料(Artificial Synapse Films)
可调电阻薄膜 / RRAM 原型器件
强关联电子体系研究(Correlated Oxides)
温敏 / 应力敏感薄膜材料
光电响应薄膜与探测器材料
多层异质结构及调控薄膜
SmNiO 的 MIT 行为与稀土离子半径及晶体结构密切相关,是探索电子相互作用、非线性电阻、类脑计算材料的重要平台。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%(3N) | 减少杂质,提高膜层稳定性 |
| 尺寸 | Φ25–300 mm | 兼容行业主流溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶寿命与沉积速率 |
| 密度 | ≥ 90–95% TD | 高致密度减少孔隙,提升薄膜均匀性 |
| 制备工艺 | CIP + 烧结 / HIP | 决定靶材稳定性与抗裂性 |
| 背板结合 | Cu / Ti / Mo + 铟焊 | 改善散热、减轻热应力 |
| 工作设备 | DC / RF | 科研与试制均适配 |
| 材料 | 特性 | 应用领域 |
|---|---|---|
| SmNiO | MIT 行为显著、强关联体系 | 类脑计算、电阻调控薄膜 |
| NdNiO₃ | 低温 MIT,更易外延生长 | 电子结构调控研究 |
| LaNiO₃ | 高导电性、金属态稳定 | 电极层、外延缓冲层 |
| SmCoO₃ | 稀土钴氧化物,高电催化活性 | 催化、电化学应用 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| SmNiO 适合 RF 还是 DC 溅射? | 建议使用 RF,成分稳定性更好。 |
| 成膜是否容易偏离化学计量? | 在控制氧分压与功率条件下可保持稳定化学比例。 |
| 是否具有 MIT(金属–绝缘转变)? | 是,SmNiO 体系具有显著 MIT 行为,适合类脑材料研究。 |
| 可否用于外延生长? | 可以,与高温衬底(如 STO、LAO)匹配度较好。 |
| 需要背板吗? | 大尺寸靶建议 Cu/Ti 背板以减少热应力开裂。 |
| 成膜后可以调控性能吗? | 可通过退火、氧分压、厚度调控进行 MIT 调节。 |
| 是否适用于传感器? | 是,可用于温敏、电阻调制、光敏薄膜等研究。 |
所有 SmNiO 靶材均采用:
真空密封
防静电袋
高密度泡沫缓冲
外层出口级纸箱或木箱
并附唯一批次编号,确保全程可追溯与运输安全。
氧化钐镍(SmNiO)靶材以其独特的强关联电子特性和显著的 MIT 行为,广泛应用于类脑计算、电阻薄膜、光电材料及先进电子器件研究。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度并支持全尺寸定制的 SmNiO 溅射靶材,是科研机构与实验室的理想选择。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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