您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
氧化铟粉（Indium Oxide Powder，化学式 In₂O₃）是一种 n 型半导体氧化物材料，兼具 优异的导电性、透光性与化学稳定性，是制备 透明导电薄膜（TCO） 的核心原料。
其广泛应用于 液晶显示（LCD）、触控屏、太阳能电池、气体传感器与光学镀膜 等领域。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度（99.9%–99.99%）氧化铟粉，颗粒均匀、分散性好，可用于 ITO 靶材制备、透明导电膜沉积、氧化物半导体研究与光电子实验。
氧化铟粉为 浅黄色或淡灰色粉末，晶体结构为 立方晶系（bixbyite），具有宽带隙特征（约 3.6 eV）。
通过 气相氧化法 或 共沉淀法 制备，粉体纯度高、杂质含量低、粒径分布均匀。
主要特点：
✅ 高纯度（≥99.99%）：适用于光电级与靶材制备；
✅ 良好透明性（可见光透过率 >80%）；
✅ 优异导电性能（掺杂后电阻率低）；
✅ 高温稳定性与化学惰性；
✅ 可掺杂性强（Sn、Zn、Ga 等）。
💡 透明导电膜（TCO）：是制备 ITO、IZO、ZTO 薄膜的基础材料；
⚙️ 光电显示与触控屏：用于 LCD、OLED、触摸面板电极层；
🔋 太阳能电池电极：提高光吸收与载流效率；
🔬 气敏与光催化材料：用于气体检测、UV 光响应器件；
🧪 科研实验：用于氧化物半导体与光学镀膜研究。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学式 | In₂O₃ | 半导体氧化物 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 光电级纯度 |
| 外观 | 浅黄色 / 淡灰色粉末 | 高纯特征 |
| 晶体结构 | 立方晶（bixbyite） | 稳定结构 |
| 平均粒径 | 0.3 – 5 μm（可定制纳米级 <100 nm） | 粒径影响透光率与电导率 |
| 密度 | 7.18 g/cm³ | 高密度粉末 |
| 熔点 | 1910°C | 热稳定性好 |
| 带隙宽度 | 3.6 eV | 半导体特性 |
| 电阻率（掺杂后） | 10⁻³ – 10⁻⁴ Ω·cm | 导电性能优异 |
| 光透过率 | >80%（可见光） | 透明导电膜关键指标 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| In₂O₃（氧化铟） | 导电透明性好 | TCO 薄膜、显示器 |
| ITO（氧化铟锡） | 高透光、高导电 | LCD、触控屏 |
| ZnO（氧化锌） | 成本低、环保 | 替代 ITO 的导电膜 |
| SnO₂（二氧化锡） | 热稳定性强 | 透明电极与气敏元件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 氧化铟粉主要用途是什么？ | 用于 ITO 靶材、透明导电膜、光电显示与传感器。 |
| 纯度等级有哪些？ | 提供 3N（99.9%）至 4N（99.99%）纯度。 |
| 是否可用于溅射靶材？ | 是，In₂O₃ 是 ITO 靶材的关键成分。 |
| 是否具备导电性？ | 掺杂后具有优异导电性。 |
| 是否透明？ | 可见光透过率超过 80%，适合 TCO 应用。 |
| 是否可提供纳米粉？ | 可提供 <100 nm 高活性纳米级粉末。 |
| 是否环保？ | 无毒、无放射性，符合 RoHS / REACH。 |
| 熔点是多少？ | 约 1910°C，具有高温稳定性。 |
| 可否与锡氧化物共烧？ | 可，与 SnO₂ 共烧制成 ITO 材料。 |
| 包装方式？ | 真空密封、防潮铝箔袋或瓶装，惰性气体保护。 |
所有氧化铟粉出厂前均经过 XRD 晶相分析、ICP 杂质检测与粒径分布测试。
采用 真空密封 + 防潮铝箔袋包装，防止氧化与吸湿。
提供 100 g、500 g、1 kg、25 kg 等规格，支持科研与工业级批量交付。
氧化铟粉以其 优异的导电透明特性、高纯度与可掺杂性，在光电显示、太阳能与半导体领域中发挥关键作用。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、多粒径 In₂O₃ 粉体，支持定制化 ITO 靶材与科研应用方案。
📩 如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1