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氧化铪粉（Hafnium Dioxide Powder，化学式 HfO₂）是一种 高介电常数、高熔点与优异化学稳定性 的功能氧化物材料。
它在 半导体介电层、红外光学镀膜、热障涂层、陶瓷复合材料 等领域发挥关键作用，是 高介电常数（High-k）薄膜材料 的核心代表之一。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度（99.9%–99.99%）的氧化铪粉，颗粒均匀、杂质极低，适用于 溅射靶材制备、CVD/PVD 薄膜沉积、光学与热防护应用。
氧化铪粉为 白色至灰白色粉末，属 单斜晶系结构（Monoclinic），可在高温下转变为四方或立方相。
其熔点高达 2812°C，具有极强的耐高温、抗腐蚀与绝缘性能。
主要特点：
✅ 高介电常数（k≈25）：是 SiO₂ 的 6 倍以上；
✅ 高熔点（2812°C） 与优异热稳定性；
✅ 高折射率（n≈2.0），适合光学镀膜；
✅ 低热膨胀系数与高硬度；
✅ 与硅兼容性好，适用于先进半导体工艺。
💻 半导体工业：作为 MOSFET 栅极介电层的高-k 材料；
💡 光学镀膜：用于红外反射膜、干涉滤光片与激光光学元件；
🔥 热障涂层与防护层：用于航空发动机与高温组件；
⚙️ 陶瓷与复合材料：提升材料耐热、耐磨性能；
🧪 科研实验与薄膜制备：适用于 PVD/CVD 及靶材制备。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学式 | HfO₂ | 高介电功能氧化物 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 半导体与光学级纯度 |
| 外观 | 白色 / 灰白色粉末 | 高纯特征 |
| 晶体结构 | 单斜晶 / 四方晶（高温） | 热稳定结构 |
| 平均粒径 | 0.3 – 5 μm（可提供纳米级 <100 nm） | 影响烧结密度与薄膜平整性 |
| 密度 | 9.68 g/cm³ | 高密度特征 |
| 熔点 | 2812°C | 超高温稳定性 |
| 介电常数 | 20 – 25 | 高介电层关键指标 |
| 折射率 | 2.0 – 2.1 | 光学镀膜适用 |
| 热膨胀系数 | 4.5×10⁻⁶ K⁻¹ | 热应力小 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| HfO₂（氧化铪） | 高介电常数、耐高温 | 半导体介电层、光学镀膜 |
| ZrO₂（氧化锆） | 高强度、高韧性 | 陶瓷、结构材料 |
| Al₂O₃（氧化铝） | 绝缘性优良 | 电介质与基板 |
| SiO₂（二氧化硅） | 成本低、透明性好 | 光学玻璃、绝缘层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 氧化铪粉主要用于哪些领域？ | 半导体介电层、光学镀膜、陶瓷与热障涂层。 |
| 介电常数是多少？ | 约 20–25，是 SiO₂ 的 6 倍以上。 |
| 熔点是多少？ | 约 2812°C，具有极高热稳定性。 |
| 是否可用于溅射靶材？ | 是，HfO₂ 常用于高纯溅射靶制备。 |
| 是否适合光学镀膜？ | 是，因其高折射率与低吸收特性。 |
| 是否可提供纳米粉？ | 可提供 <100 nm 高活性纳米粉。 |
| 是否与硅兼容？ | 是，可直接用于 Si 基半导体工艺。 |
| 是否环保？ | 无毒、无放射性，符合 RoHS / REACH。 |
| 是否吸湿？ | 稳定性好，建议干燥密封保存。 |
| 包装方式？ | 真空密封、防潮铝箔袋或惰性气体保护包装。 |
所有氧化铪粉出厂前均经过 ICP 杂质检测、XRD 晶相分析与粒径分布测试。
采用 真空密封 + 防潮铝箔袋 包装，确保粉体在运输与储存中的稳定性。
提供 100 g、500 g、1 kg、25 kg 等规格，支持科研与工业批量交付。
氧化铪粉以其 高介电、高熔点与光学稳定性，成为半导体与光学行业的重要基础材料。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、低杂质的 HfO₂ 粉体，并支持定制粒径与掺杂方案，用于溅射靶材、薄膜及先进陶瓷制备。
📩 如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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