氧化铪粉（HfO₂）

氧化铪粉（HfO₂）

描述

氧化铪粉（HfO₂）

产品简介

氧化铪粉（Hafnium Dioxide Powder，化学式 HfO₂）是一种 高介电常数、高熔点与优异化学稳定性 的功能氧化物材料。
它在 半导体介电层、红外光学镀膜、热障涂层、陶瓷复合材料 等领域发挥关键作用，是 高介电常数（High-k）薄膜材料 的核心代表之一。

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度（99.9%–99.99%）的氧化铪粉，颗粒均匀、杂质极低，适用于 溅射靶材制备、CVD/PVD 薄膜沉积、光学与热防护应用。

产品详情

氧化铪粉为 白色至灰白色粉末，属 单斜晶系结构（Monoclinic），可在高温下转变为四方或立方相。
其熔点高达 2812°C，具有极强的耐高温、抗腐蚀与绝缘性能。

主要特点：

✅ 高介电常数（k≈25）：是 SiO₂ 的 6 倍以上；
✅ 高熔点（2812°C） 与优异热稳定性；
✅ 高折射率（n≈2.0），适合光学镀膜；
✅ 低热膨胀系数与高硬度；
✅ 与硅兼容性好，适用于先进半导体工艺。

应用领域

💻 半导体工业：作为 MOSFET 栅极介电层的高-k 材料；
💡 光学镀膜：用于红外反射膜、干涉滤光片与激光光学元件；
🔥 热障涂层与防护层：用于航空发动机与高温组件；
⚙️ 陶瓷与复合材料：提升材料耐热、耐磨性能；
🧪 科研实验与薄膜制备：适用于 PVD/CVD 及靶材制备。

技术参数

参数	典型值 / 范围	重要性说明
化学式	HfO₂	高介电功能氧化物
纯度	99.9% – 99.99%	半导体与光学级纯度
外观	白色 / 灰白色粉末	高纯特征
晶体结构	单斜晶 / 四方晶（高温）	热稳定结构
平均粒径	0.3 – 5 μm（可提供纳米级 <100 nm）	影响烧结密度与薄膜平整性
密度	9.68 g/cm³	高密度特征
熔点	2812°C	超高温稳定性
介电常数	20 – 25	高介电层关键指标
折射率	2.0 – 2.1	光学镀膜适用
热膨胀系数	4.5×10⁻⁶ K⁻¹	热应力小

相关材料对比

材料	主要优势	典型应用
HfO₂（氧化铪）	高介电常数、耐高温	半导体介电层、光学镀膜
ZrO₂（氧化锆）	高强度、高韧性	陶瓷、结构材料
Al₂O₃（氧化铝）	绝缘性优良	电介质与基板
SiO₂（二氧化硅）	成本低、透明性好	光学玻璃、绝缘层

常见问题（FAQ）

问题	答案
氧化铪粉主要用于哪些领域？	半导体介电层、光学镀膜、陶瓷与热障涂层。
介电常数是多少？	约 20–25，是 SiO₂ 的 6 倍以上。
熔点是多少？	约 2812°C，具有极高热稳定性。
是否可用于溅射靶材？	是，HfO₂ 常用于高纯溅射靶制备。
是否适合光学镀膜？	是，因其高折射率与低吸收特性。
是否可提供纳米粉？	可提供 <100 nm 高活性纳米粉。
是否与硅兼容？	是，可直接用于 Si 基半导体工艺。
是否环保？	无毒、无放射性，符合 RoHS / REACH。
是否吸湿？	稳定性好，建议干燥密封保存。
包装方式？	真空密封、防潮铝箔袋或惰性气体保护包装。

包装与交付

所有氧化铪粉出厂前均经过 ICP 杂质检测、XRD 晶相分析与粒径分布测试。
采用 真空密封 + 防潮铝箔袋 包装，确保粉体在运输与储存中的稳定性。
提供 100 g、500 g、1 kg、25 kg 等规格，支持科研与工业批量交付。

结论

氧化铪粉以其 高介电、高熔点与光学稳定性，成为半导体与光学行业的重要基础材料。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、低杂质的 HfO₂ 粉体，并支持定制粒径与掺杂方案，用于溅射靶材、薄膜及先进陶瓷制备。

📩 如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com

其他信息

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