碲化镉蒸发材料(CdTe)

碲化镉蒸发材料(Cadmium Telluride Evaporation Material,CdTe)是一种由镉(Cd)与碲(Te)组成的Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体蒸发材料,广泛应用于真空热蒸发与电子束蒸发(E-beam Evaporation)等 PVD 薄膜沉积工艺。CdTe 以其理想的直接带隙、优异的光吸收系数以及成熟稳定的材料体系,成为光伏、红外探测与光电器件领域中应用最广泛的化合物半导体之一。

在需要薄膜具备高吸收效率、稳定光电响应及良好工艺重复性的应用场景中,碲化镉是一类兼具科研深度与产业基础的核心蒸发材料选择

产品详情(Detailed Description)

碲化镉蒸发材料通常采用高纯镉与高纯碲为原料,通过真空合成或受控熔炼工艺制备形成稳定的 Cd–Te 化合物相,并在制备、加工与封装过程中严格控制氧、水分及金属杂质含量,以确保蒸发过程中化学计量稳定性与薄膜性能一致性

  • 纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N),适用于科研与器件级薄膜制备

  • 材料体系:Cd–Te(Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体,近化学计量比 CdTe)

  • 能带特性:直接带隙半导体,光吸收效率高

  • 成膜优势:化合物蒸发有助于同步沉积,避免多源共蒸发成分漂移

  • 供货形态:颗粒、块状、片状或定制形态,兼容钼舟、钨舟及电子束坩埚

通过精确控制蒸发速率、基底温度与后续退火工艺,可获得结晶质量高、光电性能稳定的 CdTe 薄膜。

应用领域(Applications)

碲化镉蒸发材料在光电与能源材料领域具有极具代表性的应用,包括:

  • 薄膜太阳能电池(CdTe PV):高转换效率吸收层

  • 红外与X射线探测器:高灵敏探测薄膜

  • 光电半导体器件:光电二极管与探测器

  • Ⅱ–Ⅵ族异质结构:与 CdS、ZnTe、CdZnTe 等材料组合

  • 科研与实验室应用:能带工程、缺陷调控与界面研究

技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
材料体系 Cd–Te(Ⅱ–Ⅵ族) 决定光学与电学性能
纯度 99.9% – 99.99% 影响载流子寿命与缺陷
晶体结构 闪锌矿结构 CdTe 典型结构
形态 颗粒 / 块状 / 片状 适配不同蒸发源
蒸发方式 热蒸发 / 电子束蒸发 兼容主流 PVD 系统

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要优势 典型应用
碲化镉蒸发材料(CdTe) 光吸收强、体系成熟 薄膜光伏
硫化镉(CdS) n 型窗口层 CdTe 电池
碲化锌(ZnTe) 带隙较宽 光学与缓冲层
碲化镉锌(CdZnTe) 带隙可调 探测器材料

常见问题(FAQ)

Q1:CdTe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,电子束蒸发有利于高纯度与速率控制。

Q2:CdTe 在光伏领域的核心优势是什么?
A:直接带隙与极高的光吸收系数,可实现薄层高效吸收。

Q3:是否适合工业化量产?
A:是的,CdTe 是目前最成熟的薄膜太阳能电池材料体系之一。

Q4:化学计量比可以定制吗?
A:可以,可根据器件工艺需求微调 Cd/Te 比例。

Q5:膜层附着力如何?
A:在玻璃、ITO、FTO、Si 等基底上具有良好附着性能。

Q6:是否可用于多层或异质结构?
A:可以,常与 CdS、ZnTe 等材料构建器件结构。

Q7:是否适合连续蒸发工艺?
A:适合,蒸发过程稳定,成分一致性好。

Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:薄膜光伏、红外探测、缺陷钝化与界面工程研究。

包装与交付(Packaging)

所有碲化镉蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲及出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、成分稳定性与使用安全性

结论(Conclusion)

碲化镉蒸发材料(CdTe)凭借其理想的直接带隙、卓越的光吸收能力以及成熟可靠的产业与科研基础,在薄膜光伏与光电探测领域长期处于核心地位。对于需要制备高质量光吸收层、开展Ⅱ–Ⅵ族半导体研究或推进器件级应用的真空蒸发工艺,CdTe 是一类技术路线清晰、科研与工程价值并重的关键蒸发材料选择。

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