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硒化铌蒸发材料采用高纯铌与高纯硒为原料,通过真空合成或受控反应工艺制备形成稳定的 Nb–Se 化合物相(常见为 NbSe₂)。在整个生产、加工与封装过程中,严格控制氧、水分及痕量杂质含量,以确保蒸发过程中的化学计量稳定性、蒸发行为可预测性及薄膜性能的高度可重复性。
纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N)
材料体系:Nb–Se(TMD 类,常见为 NbSe₂)
结构特征:层状晶体结构,层间通过范德华力结合
核心物性:超导特性 + 电荷密度波(CDW)共存
电学特性:金属性导电,适合量子输运研究
供货形态:颗粒、块状、压片或定制形态,适配钼舟、钨舟及电子束坩埚
通过合理控制蒸发功率、沉积速率、基底温度及后处理工艺,可获得结晶度高、取向一致、表面均匀的 NbSe 薄膜。
硒化铌蒸发材料在前沿量子材料与基础物理研究中具有高度代表性应用,包括:
二维超导材料研究:NbSe₂ 单层/多层超导行为
电荷密度波(CDW)研究:结构相变与电子关联效应
量子输运与低温物理:超导—正常态转变研究
二维金属与异质结构:与石墨烯、h-BN、MoS₂ 等材料构建异质结
科研与实验室应用:能带结构、相变动力学与界面工程研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 材料体系 | Nb–Se(TMD 类) | 决定金属性与量子行为 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 影响超导与 CDW 稳定性 |
| 晶体结构 | 层状结构(如 NbSe₂) | 低维与相变来源 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 压片 | 适配不同蒸发源 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 硒化铌蒸发材料(NbSe) | 超导 + CDW 共存 | 量子材料研究 |
| 二硒化钽(TaSe₂) | CDW 显著 | 凝聚态物理 |
| 二硒化钼(MoSe₂) | 半导体特性 | 二维光电 |
| 二硒化钨(WSe₂) | 强 SOC | 自旋/谷电子学 |
Q1:NbSe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,电子束蒸发更有利于高熔点铌基体系的稳定沉积。
Q2:NbSe 的核心研究价值是什么?
A:其二维极限下的超导特性与电荷密度波(CDW)共存行为。
Q3:是否主要用于科研用途?
A:是的,NbSe 目前几乎全部用于前沿基础研究与量子材料探索。
Q4:化学计量比可以定制吗?
A:可以,可根据超导转变温度或 CDW 行为研究需求微调 Nb/Se 比例。
Q5:膜层附着力如何?
A:在 Si、SiO₂、蓝宝石等常见科研基底上具有良好附着性能。
Q6:是否适合二维材料研究?
A:非常适合,NbSe₂ 是最经典的二维超导 TMD 体系之一。
Q7:是否可用于异质结构构建?
A:可以,常与石墨烯、h-BN 等材料构建量子异质结构。
Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:二维超导、CDW 相变、低温输运与电子关联效应研究。
所有硒化铌蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲及出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、成分稳定性与结构完整性。
硒化铌蒸发材料(NbSe)凭借其独特的二维超导特性、电荷密度波物性以及稳定成熟的 TMD 体系,在量子材料与凝聚态物理研究中具有不可替代的科研地位。对于聚焦二维超导、相变行为或量子输运研究的真空蒸发应用,NbSe 是一类科研价值极高、研究指向极为清晰的核心蒸发材料选择。
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