硒化铅蒸发材料(PbSe)

硒化铅蒸发材料(Lead Selenide Evaporation Material,PbSe)是一种由铅(Pb)与硒(Se)组成的Ⅳ–Ⅵ族化合物半导体蒸发材料,主要用于真空热蒸发与电子束蒸发(E-beam Evaporation)等 PVD 薄膜沉积工艺。PbSe 以其窄带隙特性、优异的中红外响应能力以及成熟稳定的材料体系,在红外探测、光电器件与功能半导体薄膜领域具有长期而稳定的应用基础。

在需要薄膜具备高红外灵敏度、良好载流子输运性能及可靠成膜一致性的应用场景中,硒化铅是一类兼具科研深度与工程可行性的核心蒸发材料选择。

产品详情(Detailed Description)

硒化铅蒸发材料通常采用高纯铅与高纯硒为原料,通过真空合成或受控熔炼工艺制备形成稳定的 Pb–Se 化合物相,并在制备、加工与封装过程中严格控制氧、水分及痕量杂质,以确保蒸发过程中的化学计量稳定性与薄膜性能可重复性

  • 纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N),适用于科研与器件级薄膜制备

  • 材料体系:Pb–Se(Ⅳ–Ⅵ族化合物半导体,近化学计量比 PbSe)

  • 能带特性:窄带隙半导体,适合中红外光谱响应

  • 成膜优势:化合物单源蒸发,有效避免多源共蒸发的成分偏析

  • 供货形态:颗粒、块状、片状或定制形态,兼容钼舟、钨舟及电子束坩埚

通过合理控制蒸发速率、基底温度与后处理条件,可获得结晶质量良好、红外与电学性能稳定的 PbSe 薄膜。

应用领域(Applications)

硒化铅蒸发材料在红外与功能半导体领域具有代表性应用,包括:

  • 中红外探测与成像薄膜:红外传感与探测器核心材料

  • 光电半导体器件:红外光电二极管与探测层

  • 功能半导体薄膜:窄带隙导电与响应层

  • 异质结构与多层薄膜:与 PbTe、SnTe、CdSe 等材料组合

  • 科研与实验室应用:能带结构、载流子输运与缺陷调控研究

技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
材料体系 Pb–Se(Ⅳ–Ⅵ族) 决定红外与电学性能
纯度 99.9% – 99.99% 影响缺陷密度与灵敏度
晶体结构 岩盐结构 PbSe 典型晶体结构
形态 颗粒 / 块状 / 片状 适配不同蒸发源
蒸发方式 热蒸发 / 电子束蒸发 兼容主流 PVD 系统

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要优势 典型应用
硒化铅蒸发材料(PbSe) 中红外响应优异 红外探测
碲化铅(PbTe) 热电与红外性能 热电/红外器件
硒化镉(CdSe) 带隙较宽 光电器件
碲化锡(SnTe) 拓扑与导电特性 物性研究

常见问题(FAQ)

Q1:PbSe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,电子束蒸发更有利于成分与速率精确控制。

Q2:PbSe 的核心应用优势是什么?
A:优异的中红外响应能力与稳定的窄带隙半导体特性。

Q3:是否适合红外探测器应用?
A:是的,PbSe 是经典的中红外探测材料体系之一。

Q4:化学计量比可以定制吗?
A:可以,可根据器件需求微调 Pb/Se 比例。

Q5:膜层附着力如何?
A:在玻璃、Si、SiO₂、氧化物及多种半导体基底上具有良好附着性能。

Q6:是否适合连续蒸发工艺?
A:适合,蒸发行为稳定,成分一致性良好。

Q7:是否可用于多层或异质结构?
A:可以,常作为功能层参与多层与异质结构设计。

Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:中红外探测、能带工程、缺陷调控与载流子输运研究。

包装与交付(Packaging)

所有硒化铅蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、成分稳定性与使用可靠性

结论(Conclusion)

硒化铅蒸发材料(PbSe)凭借其成熟稳定的Ⅳ–Ⅵ族半导体体系、卓越的中红外响应能力以及良好的成膜可控性,在红外探测与功能半导体薄膜领域持续发挥关键作用。对于需要制备高质量中红外敏感层或开展相关半导体研究的真空蒸发应用,PbSe 是一类科研与工程价值并重、技术路线清晰的核心蒸发材料选择。

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