硒化镓蒸发材料（GaSe）

产品详情（Detailed Description）

硒化镓蒸发材料通常采用高纯镓与高纯硒为原料，通过真空合成或受控反应工艺制备形成稳定的 Ga–Se 化合物相（常见为 GaSe）。在原料选型、合成、加工与封装全过程中严格控制氧、水分及痕量杂质，以确保蒸发过程中的化学计量稳定性、蒸发行为可预测性以及薄膜性能的高度可重复性。

• 纯度等级：99.9%（3N）–99.99%（4N）

• 材料体系：Ga–Se（Ⅲ–Ⅵ族层状半导体）

• 结构特征：层状晶体结构，层间以范德华力结合

• 光学特性：强各向异性与显著非线性光学响应

• 成膜优势：化合物单源蒸发，避免多源共蒸发比例偏差

• 供货形态：颗粒、块状、压片或定制形态，适配钼舟、钨舟及电子束坩埚

通过优化蒸发功率、沉积速率、基底温度及后处理条件，可获得表面平整、结晶质量高、取向可控的 GaSe 薄膜。

应用领域（Applications）

硒化镓蒸发材料在光学与前沿功能薄膜研究中具有典型应用，包括：

• 二维与层状半导体研究：GaSe 单层/多层薄膜制备

• 非线性光学器件：倍频、光学调制与光学开关

• 光电与光敏薄膜：可见光—近红外响应层

• 红外与太赫兹相关研究：光学响应与调控薄膜

• 异质结构与范德华器件：与石墨烯、h-BN、InSe 等材料组合

• 科研与实验室应用：能带工程、界面效应与缺陷调控研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：GaSe 蒸发材料适合哪种沉积方式？
A：适用于热蒸发与电子束蒸发，电子束蒸发更有利于速率与成分精确控制。

Q2：GaSe 的核心研究优势是什么？
A：其层状结构带来的强各向异性与显著非线性光学特性。

Q3：是否适合二维材料研究？
A：是的，GaSe 是Ⅲ–Ⅵ族中重要的二维层状半导体材料。

Q4：化学计量比可以定制吗？
A：可以，可根据光学或器件研究需求微调 Ga/Se 比例。

Q5：膜层附着力如何？
A：在 Si、SiO₂、蓝宝石、石英等常见科研基底上具有良好附着性能。

Q6：是否可用于异质结构构建？
A：可以，常用于构建范德华异质结构与光学功能器件。

Q7：蒸发过程是否稳定？
A：在高真空与合理功率控制条件下，蒸发过程稳定可控。

Q8：科研中常见研究方向有哪些？
A：非线性光学、二维光电、界面工程与低维物性研究。

包装与交付（Packaging）

所有硒化镓蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲及出口级包装方案，确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、成分稳定性与结构完整性。

结论（Conclusion）

硒化镓蒸发材料（GaSe）凭借其突出的非线性光学性能、稳定的层状结构以及良好的成膜可控性，在二维光学与功能薄膜研究中展现出持续的科研价值。对于需要制备高质量层状薄膜、开展非线性光学或光电响应研究的真空蒸发应用，GaSe 是一类研究指向清晰、技术成熟度高的核心蒸发材料选择。

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