碳化硅蒸发材料（SiC）

产品详情（Detailed Description）

碳化硅蒸发材料采用高纯硅源与高纯碳源，通过受控碳化反应与高温烧结工艺制备形成致密稳定的 Si–C 化合物相（SiC）。在原料提纯、化学计量控制、晶相稳定与致密化处理全过程中，严格控制氧、氮及游离碳含量，以确保蒸发过程中成分稳定、蒸发行为可预测、薄膜性能重复性高。

• 纯度等级：99.5% – 99.99%（科研与工程常用）

• 材料体系：Si–C（碳化硅，SiC）

• 结构特性：共价键陶瓷结构，化学稳定性极高

• 热学性能：高热导率，耐高温、耐热冲击

• 电学特性：宽禁带半导体特性

• 成膜优势：膜层致密、耐腐蚀、长期稳定

• 供货形态：颗粒 / 块状 / 压片 / 定制形态，适配电子束坩埚及高温蒸发源

由于 SiC 熔点高、共价键强，电子束蒸发是最常见、最稳定的沉积方式。

应用领域（Applications）

• 高温防护薄膜：高温结构件与功能器件表面保护

• 半导体与电子薄膜：绝缘/缓冲层、功能薄膜研究

• 耐腐蚀与耐磨涂层：化学与机械苛刻环境

• 光学与红外功能薄膜：特定波段功能层

• 能源与核能材料研究：高温与辐照环境

• 多层复合膜系设计：与 Si₃N₄、AlN、ZrC、TiC 等材料组合

• 科研与实验室应用：先进陶瓷与界面行为研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：SiC 适合哪种沉积方式？
A：推荐使用电子束蒸发，更易实现稳定蒸发与致密成膜。

Q2：SiC 薄膜的核心优势是什么？
A：优异的高温稳定性、化学惰性与半导体功能特性。

Q3：是否适合半导体相关应用？
A：是的，SiC 是典型的宽禁带半导体材料。

Q4：是否适合高腐蚀环境？
A：非常适合，对酸碱及多种化学介质具有良好耐受性。

Q5：膜层附着力如何？
A：在 Si、陶瓷、金属基底上均表现良好。

Q6：是否可用于多层或复合膜？
A：可以，常作为缓冲层或功能层使用。

Q7：蒸发过程中是否存在飞溅风险？
A：在合理控制电子束功率和升温速率下风险较低。

Q8：应用更偏科研还是工程？
A：兼顾科研探索与工程型长期应用。

包装与交付（Packaging）

所有碳化硅蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案，确保运输与储存过程中材料的成分稳定性与使用可靠性。

结论（Conclusion）

碳化硅蒸发材料（SiC）凭借其卓越的高温稳定性、优异的化学惰性以及独特的半导体特性，在功能薄膜、高温防护及先进电子材料领域中保持长期核心地位。对于需要在苛刻环境下实现可靠、稳定薄膜沉积的真空蒸发应用，SiC 是一类成熟度极高、工程与科研价值并重的专业蒸发材料选择。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com