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碳化硼蒸发材料采用高纯硼源与高纯碳源，通过受控化学合成与高温烧结工艺制备，形成稳定致密的 B–C 化合物相（以 B₄C 为主）。在原料提纯、化学计量控制、晶相稳定与致密化处理的全过程中，严格控制氧、氮及游离硼含量，以确保蒸发过程中成分稳定、蒸发行为可控、薄膜结构与性能重复性高。
纯度等级：99.5% – 99.9%（科研与高端工程常用）
材料体系：B–C（碳化硼，BC / B₄C）
物理特性：极高硬度、低密度
化学特性：耐腐蚀、化学惰性强
功能特性：优异中子吸收能力
成膜优势：膜层致密、应力可控、耐磨寿命长
供货形态：颗粒 / 块状 / 压片 / 定制形态，适配电子束坩埚及高温蒸发源
由于碳化硼熔点高、热稳定性强，电子束蒸发更有利于获得稳定沉积速率与高质量薄膜。
超硬与耐磨薄膜：机械部件、精密结构表面
防护与抗腐蚀涂层：化工与真空环境
核技术与中子吸收薄膜：核反应堆与探测器
轻量化防护薄膜：航空航天与先进装备
多层复合膜系设计：与 TiC、ZrC、HfC、BN 等材料组合
科研与实验室应用：超硬陶瓷与功能薄膜研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学组成 | BC / B₄C | 决定硬度与功能特性 |
| 纯度 | 99.5% – 99.9% | 控制薄膜缺陷 |
| 密度 | 低 | 轻量化优势 |
| 硬度 | 极高 | 超硬耐磨性能 |
| 化学稳定性 | 极佳 | 耐腐蚀与长期稳定 |
| 供货形态 | 颗粒 / 块状 / 压片 | 适配蒸发设备 |
| 蒸发方式 | 电子束蒸发（推荐） | 高熔点材料优选 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 碳化硼蒸发材料（BC） | 超硬、轻质、中子吸收 | 防护/核相关薄膜 |
| 碳化硅（SiC） | 高硬度、耐热 | 高温防护 |
| 碳化钛（TiC） | 工艺成熟 | 工程耐磨涂层 |
| 氮化硼（BN） | 绝缘与耐热 | 功能绝缘薄膜 |
Q1：BC 适合哪种沉积方式？
A：推荐电子束蒸发，更适合高熔点与高稳定性需求。
Q2：BC 薄膜的核心优势是什么？
A：极高硬度、低密度及优异的化学稳定性。
Q3：是否适合耐磨涂层？
A：非常适合，是超硬耐磨薄膜的重要材料之一。
Q4：是否具有中子吸收能力？
A：是的，BC（B₄C）在核技术中应用广泛。
Q5：膜层附着力如何？
A：在金属、Si、陶瓷及复合基底上通常表现良好。
Q6：是否可与其他材料形成复合膜？
A：可以，常用于多层或梯度超硬膜设计。
Q7：蒸发过程中是否稳定？
A：在合理功率控制下，蒸发过程稳定、重复性高。
Q8：应用更偏科研还是工程？
A：同时适用于前沿科研与高端工程应用。
所有碳化硼蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲及出口级包装方案，确保运输与储存过程中材料的成分稳定性与使用安全性。
碳化硼蒸发材料（BC）凭借其超硬、轻质、化学惰性强及独特的中子吸收功能，在防护薄膜、核技术与高端功能涂层领域中占据重要位置。对于需要在极端工况或特殊功能条件下实现可靠薄膜沉积的真空蒸发应用，BC 是一类性能取向清晰、技术价值极高的专业蒸发材料选择。
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