氮化钽蒸发材料（TaN）

产品详情（Detailed Description）

氮化钽蒸发材料通常以高纯钽金属为原料，通过受控氮化反应与高温合成、致密化工艺制备形成稳定的 Ta–N 化合物相（如 TaN、Ta₂N 等）。在原料提纯、化学计量控制、晶相调控与成型加工的全过程中，严格控制氧、碳等杂质含量，以确保蒸发过程中成分稳定、蒸发速率可控、薄膜结构与电学性能重复性高。

• 纯度等级：99.5% – 99.99%（半导体与科研常用）

• 材料体系：Ta–N（氮化钽，TaN）

• 电学特性：中低电阻率，性能稳定

• 热学特性：高温下结构稳定，不易分解

• 化学特性：耐腐蚀、抗氧化能力强

• 成膜优势：膜层致密、界面稳定、扩散阻挡性能优异

• 供货形态：颗粒 / 块状 / 压片 / 定制形态，适配钼舟、钨舟或电子束坩埚

在追求高致密度与低缺陷薄膜时，电子束蒸发是 TaN 的优选沉积方式。

应用领域（Applications）

• 半导体扩散阻挡层：Cu / Al 互连阻挡层

• 电阻与功能薄膜：薄膜电阻、加热元件

• 微电子与集成电路：BEOL 工艺相关薄膜

• 高温与耐腐蚀涂层：真空与化工环境

• 多层复合膜系：与 Ta、Ta₂O₅、TiN、WN 等材料组合

• 科研与实验室应用：氮化物薄膜结构与界面研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：TaN 适合哪种沉积方式？
A：热蒸发与电子束蒸发均可，高致密需求推荐电子束蒸发。

Q2：TaN 在半导体中的主要作用是什么？
A：作为金属互连的扩散阻挡层与电阻功能层。

Q3：TaN 薄膜是否导电？
A：是的，具有稳定的中低电阻率。

Q4：是否适合高温工艺？
A：非常适合，在高温退火与制程中保持稳定。

Q5：膜层附着力如何？
A：在 Si、SiO₂、金属基底上均表现优良。

Q6：是否可用于薄膜电阻？
A：可以，TaN 是常用的薄膜电阻材料之一。

Q7：蒸发过程是否稳定？
A：在合理功率与真空条件下，蒸发过程稳定、重复性高。

Q8：应用更偏科研还是量产？
A：既适用于科研，也广泛用于产业化半导体工艺。

包装与交付（Packaging）

所有氮化钽蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案，确保运输与储存过程中材料的成分稳定性与使用可靠性。

结论（Conclusion）

氮化钽蒸发材料（TaN）凭借其卓越的热稳定性、可靠的导电性能以及行业公认的扩散阻挡能力，在半导体与微电子薄膜体系中长期占据核心位置。对于需要高可靠性与高一致性的真空蒸发薄膜制备应用，TaN 是一类工程成熟度极高、应用边界清晰的专业蒸发材料选择。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com