氮化铪蒸发材料（HfN）

产品详情（Detailed Description）

氮化铪蒸发材料以高纯铪金属为原料，通过受控氮化反应及高温合成与致密化工艺制备，形成稳定的 Hf–N 化合物相（HfN）。在原料提纯、化学计量控制、晶相稳定与成型加工的全过程中，严格控制氧、碳等杂质含量，以确保蒸发过程中成分稳定、蒸发行为可控、薄膜结构与性能重复性高。

• 纯度等级：99.5% – 99.99%（科研与半导体常用）

• 材料体系：Hf–N（氮化铪，HfN）

• 物理特性：高硬度、优异耐磨性

• 电学特性：良好导电性，电阻率稳定

• 热学特性：高温下结构稳定，抗分解能力强

• 化学特性：耐腐蚀、抗氧化能力优于多数氮化物

• 成膜优势：膜层致密、附着力强、扩散阻挡性能突出

• 供货形态：颗粒 / 块状 / 压片 / 定制形态，适配钼舟、钨舟或电子束坩埚

鉴于 HfN 的高熔点与高致密需求，电子束蒸发更有利于获得稳定沉积速率与低缺陷薄膜。

应用领域（Applications）

• 半导体扩散阻挡层：Cu/Al 互连体系的高温阻挡

• 高温与耐腐蚀薄膜：严苛工况与真空环境

• 导电与功能薄膜：耐热导电层、功能电极

• 耐磨与防护涂层：高负载机械与结构件表面

• 多层复合膜系：与 HfO₂、HfC、TaN、TiN 等材料组合

• 科研与实验室应用：高温氮化物薄膜与界面工程研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：HfN 适合哪种沉积方式？
A：热蒸发与电子束蒸发均可；高致密与高温应用推荐电子束蒸发。

Q2：HfN 的核心优势是什么？
A：极高的热稳定性与出色的扩散阻挡能力。

Q3：是否适合半导体工艺？
A：适合，尤其用于高温互连阻挡与功能层。

Q4：HfN 是否导电？
A：是的，具有稳定且可控的导电性能。

Q5：膜层附着力如何？
A：在 Si、SiO₂、金属及陶瓷基底上表现优良。

Q6：是否可用于多层或梯度膜？
A：可以，常用于高温或阻挡型多层膜设计。

Q7：蒸发过程是否稳定？
A：在合理功率与真空条件下，蒸发过程稳定、重复性高。

Q8：应用更偏科研还是量产？
A：兼顾前沿科研与成熟工程应用。

包装与交付（Packaging）

所有氮化铪蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案，确保运输与储存过程中材料的成分稳定性与使用可靠性。

结论（Conclusion）

氮化铪蒸发材料（HfN）凭借其卓越的高温稳定性、可靠的导电性能以及行业认可的扩散阻挡能力，在半导体与高温功能薄膜体系中占据重要位置。对于需要在严苛条件下实现长期稳定薄膜沉积的真空蒸发应用，HfN 是一类性能上限高、工程可信度强的专业蒸发材料选择。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com