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氧化铬硅蒸发材料采用高纯 Cr₂O₃ 与 SiO₂ 原料,经精确计量、均匀混合与高温烧结工艺制备,确保材料致密、化学计量稳定,适用于高真空与高能束流沉积环境。
典型组成:Cr₂O₃–SiO₂ 复合氧化物(比例可定制)
纯度范围:99.9% – 99.99%(3N–4N)
材料形态:块状、颗粒状、定制尺寸
制造工艺:固相合成 + 高温烧结
表面状态:致密、低吸附,适合高真空蒸发
高质量 CrSiO 蒸发材料有助于:
保证蒸发过程中 Cr/Si 比例稳定;
提高薄膜致密度与界面附着力;
改善薄膜的耐热、耐腐蚀与绝缘性能;
提升量产与科研工艺的一致性与重复性。
光学镀膜:耐久保护层、功能光学薄膜
半导体与微电子:阻挡层、绝缘与缓冲层
功能防护涂层:耐高温、耐化学腐蚀薄膜
显示与电子封装:稳定界面与保护层
科研实验:复合氧化物结构与薄膜物性研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 化学组成 | Cr₂O₃–SiO₂ | 决定薄膜结构与性能 |
| Cr/Si 比例 | 可定制 | 调控电学与耐热特性 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 降低杂质缺陷 |
| 形态 | 块状 / 颗粒 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 适用工艺 | 电子束蒸发 / 高温热蒸发 | 兼容主流 PVD |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止吸湿与污染 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 氧化铬硅(CrSiO) | 耐热、附着力好 | 阻挡与防护薄膜 |
| 氧化铬(Cr₂O₃) | 耐磨耐腐蚀 | 防护涂层 |
| 氧化硅(SiO₂) | 介电稳定 | 绝缘与光学层 |
| 氧化铝(Al₂O₃) | 工艺成熟 | 通用保护层 |
Q1:CrSiO 蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:适用于电子束蒸发及高温热蒸发,适合复合氧化物薄膜制备。
Q2:CrSiO 的主要优势是什么?
A:兼具耐高温、耐腐蚀与良好介电稳定性。
Q3:Cr/Si 比例可以定制吗?
A:可以,根据具体应用需求进行配比定制。
Q4:CrSiO 薄膜适合半导体工艺吗?
A:适合,常用于阻挡层与界面保护。
Q5:薄膜附着力如何?
A:附着力优良,适合多种基底材料。
Q6:颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗?
A:会,均匀颗粒有助于稳定蒸发速率与膜厚控制。
Q7:是否适合高温环境应用?
A:适合,薄膜在高温条件下保持结构稳定。
Q8:是否适合科研级应用?
A:非常适合,用于复合氧化物与界面工程研究。
Q9:材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免吸湿与污染。
Q10:是否支持定制规格与形态?
A:支持,可按蒸发设备与工艺需求定制。
所有氧化铬硅蒸发材料(CrSiO)在出厂前均经过严格质量检测,并建立完整批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲及出口级包装,确保运输与储存过程中材料洁净度与性能稳定。
氧化铬硅蒸发材料(CrSiO)凭借其优异的耐高温、耐腐蚀与介电稳定特性,在光学镀膜、半导体阻挡层及功能防护薄膜领域中展现出稳定可靠的应用价值。对于追求高一致性、高可靠性与长期稳定性的薄膜沉积需求,CrSiO 是一种成熟、稳健且可定制的复合氧化物蒸发材料选择。
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