钽蒸发材料(Ta)

钽(Tantalum,Ta)是一种高熔点、高密度的难熔金属,具有极高的化学稳定性、优异的耐腐蚀性能、良好的导电性以及出色的薄膜致密性。在真空蒸发与物理气相沉积(PVD)工艺中,钽蒸发材料被广泛用于制备 扩散阻挡层、金属互连层、电极层以及高可靠性功能薄膜,是半导体和高端电子器件制造中的关键材料之一。

作为蒸发材料,钽在高真空条件下表现出稳定、可控的蒸发特性,尤其适用于电子束蒸发(E-beam)工艺,在高温和高功率条件下仍能保持优异的成膜质量。

产品详情(Detailed Description)

苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、多形态、性能稳定的钽蒸发材料,满足科研级与工业级薄膜制备需求。

● 可提供形式

  • 纯度:99.9%(3N)– 99.99%(4N)

  • 材料形态

    • 颗粒(Pellets / Granules)

    • 块状(Pieces / Chunks)

    • 条状 / 小锭(Bars / Mini Ingots)

    • 定制形态(匹配电子束坩埚或蒸发舟)

  • 典型尺寸:1–3 mm、3–6 mm(支持定制)

  • 加工工艺:真空熔炼、粉末冶金、精密切割

  • 表面状态:金属本征态,灰银色金属光泽

  • 包装方式:真空密封或惰性气体保护

● 材料特性

  • 熔点极高(≈3017 °C),适合高功率蒸发

  • 蒸发稳定性好,适合厚膜与致密薄膜沉积

  • 与 Si、SiO₂、Low-k 材料兼容性优异

  • 可用于反应蒸发制备 Ta₂O₅、TaN 等功能薄膜

  • 薄膜应力低、可靠性高,适合微电子应用


应用领域(Applications)

钽(Ta)蒸发材料主要应用于以下领域:

1. 半导体扩散阻挡层(Diffusion Barrier)

用于 Cu / Al 互连结构中,防止金属扩散,提升器件可靠性。

2. 电极与互连层

作为稳定电极材料,应用于存储器、电容器及集成电路。

3. 反应蒸发与功能薄膜

在氧气或氮气环境中形成 Ta₂O₅、TaN 等高介电或阻挡薄膜。

4. 光学与电子功能薄膜

用于高稳定性光学膜、功能调控层。

5. 科研与先进材料研究

用于高温金属薄膜、界面工程及器件可靠性研究。


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型范围 说明
纯度 3N–4N 高纯度降低杂质扩散
形态 颗粒 / 块状 / 定制 适配不同蒸发源
粒径 1–6 mm 适合稳定电子束蒸发
蒸发方式 电子束蒸发 / 高温热蒸发 高功率工艺稳定
包装 真空 / 惰性气体 防止表面污染

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要特点 典型应用
Ta 高熔点、稳定性极高 阻挡层、电极
Ti 附着力强 粘附层
W 熔点更高 高温结构薄膜
Mo 成本较低 金属互连

常见问题(FAQ)

问题 答案
钽蒸发材料适合哪种蒸发方式? 非常适合电子束蒸发,也可用于高温热蒸发。
钽是否容易氧化? 常温下稳定,高温下需真空或惰性气氛。
是否可用于反应蒸发? 可以,用于制备 Ta₂O₅、TaN 薄膜。
是否支持小颗粒规格? 支持 1–3 mm 颗粒。
是否可定制形态? 可按 E-beam 炉或坩埚定制。
是否可提供成分检测报告? 可按需提供 ICP、GDMS 等检测文件。

包装与交付(Packaging)

  • 真空密封或惰性气体封装

  • 防震缓冲包装

  • 独立批次标签,便于追溯

  • 出口级纸箱或木箱

  • 适合科研小批量与工业稳定供货


结论(Conclusion)

钽蒸发材料(Ta)凭借其极高的熔点、卓越的化学稳定性与优异的薄膜可靠性,在半导体互连、扩散阻挡层及高端功能薄膜制备中占据核心地位。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、多形态、可定制的钽蒸发材料,为科研与工业级真空蒸发工艺提供可靠、稳定的材料解决方案。

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