铌蒸发材料（Nb）

产品详情（Detailed Description）

• 纯度等级：常规提供 3N–4N 及以上高纯铌，杂质含量低，有助于降低薄膜缺陷与界面污染。

• 材料特性：熔点约 2477 °C，蒸气压低，在高温蒸发条件下仍保持稳定蒸发行为。

• 形态规格：提供颗粒、片状、块状、丝材或按需定制几何形态，适配电子束蒸发源与高温蒸发舟。

• 工艺适配性：适用于高真空/UHV 系统，兼容金属、氧化物、陶瓷及半导体基底。

• 成膜表现：铌薄膜致密均匀，附着力好，适合后续反应性退火或反应溅射/蒸发工艺。

应用领域（Applications）

• 半导体与微电子

  • 电极层、功能金属层

  • 扩散阻挡层与种子层

• 超导与量子器件

  • 超导铌薄膜（Nb）

  • NbN、NbTiN 等相关体系前驱材料

• 光学与功能涂层

  • 铌氧化物（Nb₂O₅）高折射率薄膜

• 科研与实验室

  • 难熔金属薄膜研究

  • 表面与界面物性实验

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ — 聚焦应用）

Q1：铌蒸发材料适合哪种蒸发工艺？
A：主要用于电子束蒸发，也可在高功率条件下进行高温热蒸发。

Q2：铌薄膜常见用途有哪些？
A：用于金属电极、超导薄膜以及铌氧化物和铌氮化物薄膜的制备。

Q3：铌在反应性气氛中的表现如何？
A：铌对氧、氮具有良好的反应可控性，适合反应性蒸发与后续处理。

Q4：是否支持定制形态与尺寸？
A：支持根据蒸发源结构和工艺需求进行定制。

Q5：更偏向科研还是工业应用？
A：同时适合科研实验与小批量高附加值工业应用。

包装与交付（Packaging）

所有铌蒸发材料在出厂前均经过严格检测，采用真空密封或惰性气体保护包装，并配合防震与出口级包装方案，确保运输与储存过程中的洁净度与材料稳定性。

结论（Conclusion）

铌蒸发材料凭借高熔点、稳定的蒸发行为与广泛的功能薄膜适配性，在半导体、超导器件及先进科研薄膜制备中具有重要地位，是难熔金属蒸发材料体系中的核心成员之一。
如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com