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铟蒸发材料采用高纯金属铟为原料,经真空熔炼、精炼与洁净成形工艺制备,严格控制杂质元素与表面氧化水平,确保在高真空环境中具备可重复、可控的蒸发性能。
纯度范围:99.9% – 99.999%(3N–5N)
材料形态:颗粒、小块、片状、定制尺寸
制造工艺:真空熔炼 + 精密成形 / 分级
表面状态:低氧化、洁净表面,适合直接蒸发
高纯铟蒸发材料能够有效:
保证蒸发速率平稳,减少飞溅与污染;
提升薄膜厚度与成分均匀性;
改善薄膜导电性、透明性与界面结合;
提高科研与量产工艺的一致性与良率。
透明导电薄膜:ITO、In₂O₃、In 基氧化物薄膜
显示与光电器件:LCD、OLED、触控面板
半导体制造:低温金属电极、接触层
合金与功能薄膜:InSn、InGa、InZn 等体系
科研实验:新型光电材料与界面工程研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.999% | 决定薄膜导电与光学性能 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 单颗粒尺寸 | 可定制 | 影响蒸发速率稳定性 |
| 熔点 | ~156.6 °C | 适合低温蒸发工艺 |
| 适用工艺 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止氧化与表面污染 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 铟(In)蒸发材料 | 低熔点、导电性好 | 透明导电与低温薄膜 |
| 锡(Sn) | 易合金化 | ITO、功能合金薄膜 |
| 锌(Zn) | 成本较低 | 显示与光电薄膜 |
| 镓(Ga) | 半导体特性 | 光电与化合物薄膜 |
Q1:铟蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,尤其适合低温沉积工艺。
Q2:铟在薄膜中的主要作用是什么?
A:提供高导电性与良好界面特性,是透明导电薄膜的关键金属源。
Q3:铟蒸发对真空条件要求高吗?
A:建议在高真空环境下使用,以减少氧化并保证膜层质量。
Q4:铟薄膜容易氧化吗?
A:表面易形成氧化层,但在真空沉积条件下可有效控制。
Q5:可以与其他材料共蒸发吗?
A:可以,常与 Sn、Ga、Zn 等共蒸发制备功能合金或氧化物薄膜。
Q6:颗粒尺寸会影响蒸发效果吗?
A:会,均匀尺寸有助于稳定蒸发速率和膜厚控制。
Q7:铟薄膜的附着力如何?
A:在玻璃、ITO、Si 等基底上均具有良好附着性。
Q8:是否适合科研级应用?
A:非常适合,是显示与光电材料研究中的常用金属源。
Q9:铟蒸发材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免表面氧化与污染。
Q10:是否支持定制规格与高纯度?
A:支持,可提供定制尺寸及 5N 等高纯等级。
所有铟蒸发材料在出厂前均经过严格质量检测,并建立完整的批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装,确保在运输与储存过程中保持高纯度与良好表面状态。
铟蒸发材料(In)凭借其低熔点、优异的导电性能及在透明导电薄膜领域的核心地位,已成为显示、光电与半导体制造中不可或缺的基础材料。对于追求低温工艺、高一致性与高性能薄膜的应用场景,铟蒸发材料是一种成熟、可靠且高价值的选择。
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