铜蒸发材料（Cu）

产品详情（Detailed Description）

铜蒸发材料采用高纯电解铜或真空精炼铜为原料，经真空熔炼、精密切割或破碎与严格杂质控制工艺制备，确保在高真空环境中具备稳定、可重复的蒸发行为。

• 纯度范围：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 材料形态：颗粒、块状、片状、定制尺寸

• 制造工艺：真空熔炼 + 精密加工 / 分级

• 表面状态：低氧、低吸附，适合直接蒸发

高纯度铜蒸发材料可有效：

• 提供稳定蒸发速率，减少飞溅与颗粒污染；

• 提升薄膜致密度、厚度均匀性与表面质量；

• 保证优异的电导率与热导率；

• 提高器件制程的一致性与良率。

应用领域（Applications）

• 半导体与微电子：金属互连层、接触层、电极层

• 功率与电子器件：高导电电极与导热薄膜

• 功能与装饰镀膜：金属反射膜、导电涂层

• 传感器与MEMS：功能金属层与结构薄膜

• 科研实验：薄膜导电性、界面与材料研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ — 聚焦应用）

Q1：铜蒸发材料适合哪种蒸发方式？
A：适用于热蒸发与电子束蒸发，工艺成熟、稳定性高。

Q2：铜薄膜的主要优势是什么？
A：低电阻、高导电与良好热导性能。

Q3：铜蒸发对真空条件要求高吗？
A：建议在高真空条件下沉积，以减少氧化并提升膜层质量。

Q4：铜薄膜容易氧化吗？
A：在空气中易氧化，因此沉积与冷却阶段需良好真空控制。

Q5：是否需要阻挡或粘附层？
A：在部分基底上，常配合 Ta、Ti、Cr 等作为阻挡或粘附层。

Q6：颗粒尺寸会影响蒸发效果吗？
A：会，均匀尺寸有助于稳定蒸发速率与膜厚控制。

Q7：铜薄膜的附着力如何？
A：在合适工艺与粘附层条件下，对多种基底具有良好附着性。

Q8：是否适合科研级应用？
A：非常适合，是薄膜导电与互连研究中的常用材料。

Q9：铜蒸发材料如何储存？
A：建议真空密封保存，避免表面氧化与污染。

Q10：是否支持定制规格与高纯度？
A：支持，可提供定制尺寸及 5N 等高纯等级。

包装与交付（Packaging）

所有铜蒸发材料在出厂前均经过严格质量检测，并建立完整批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装，确保在运输与储存过程中保持高纯度与稳定性能。

结论（Conclusion）

铜蒸发材料（Cu）凭借其卓越的导电与导热性能、成熟稳定的工艺表现以及广泛的产业应用基础，在半导体互连、功能薄膜与科研领域中具有不可替代的地位。对于追求低电阻、高一致性与高可靠性的薄膜沉积应用，铜蒸发材料是一种经典且可靠的选择。

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