镉蒸发材料(Cd)

镉蒸发材料(Cadmium Evaporation Material, Cd)是一种低熔点、蒸气压高、蒸发行为温和的金属蒸发源,在化合物半导体、光电器件与科研级薄膜沉积中具有重要作用。镉是多种 II–VI 族化合物半导体(如 CdS、CdSe、CdTe)的关键金属元素,在光伏、光探测与显示相关薄膜体系中被广泛采用。

在真空蒸发与 PVD 工艺中,高纯镉可在较低温度下实现稳定沉积,特别适合对基底温度敏感、成分精确控制要求较高的应用场景。

产品详情(Detailed Description)

镉蒸发材料采用高纯金属镉原料,经真空精炼、洁净成形与严格杂质控制制备,确保在高真空环境中具有可重复、可控的蒸发性能。

  • 纯度范围:99.9% – 99.999%(3N–5N)

  • 材料形态:颗粒、小块、定制尺寸

  • 制造工艺:真空精炼 + 精密成形

  • 表面状态:低氧化、低挥发杂质,适合真空蒸发

高纯镉蒸发材料可有效:

  • 保证蒸发速率稳定,减少成分波动;

  • 提升化合物薄膜的化学计量准确性;

  • 改善薄膜致密度与光电性能一致性;

  • 提高科研与中试工艺的可重复性。

注:镉属于受管控金属材料,使用与处理需符合当地安全与环保法规。

应用领域(Applications)

  • 化合物半导体薄膜:CdS、CdSe、CdTe 等 II–VI 族材料

  • 光伏与光电器件:薄膜太阳能电池、光探测层

  • 显示与功能薄膜:特定光学与电学功能层

  • 科研实验:半导体物性、界面与能带结构研究

技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9% – 99.999% 决定光电与半导体性能
形态 颗粒 / 块状 / 定制 适配不同蒸发源
单颗粒尺寸 可定制 影响蒸发速率与通量稳定
熔点 ~321 °C 适合低温蒸发
适用工艺 热蒸发 / 电子束蒸发 常用于化合物蒸发
包装方式 真空密封 防止氧化与挥发污染

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要优势 典型应用
镉(Cd)蒸发材料 易蒸发、计量可控 II–VI 半导体薄膜
锌(Zn) 毒性更低 ZnS、ZnSe 薄膜
硒(Se) 光电响应好 化合物半导体
碲(Te) 红外与光伏应用 CdTe、Bi₂Te₃

常见问题(FAQ — 聚焦应用)

Q1:镉蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:主要用于热蒸发,也可在合适条件下用于电子束蒸发。

Q2:镉在薄膜中的主要作用是什么?
A:作为 II–VI 族化合物半导体的金属组分,决定光电性能。

Q3:镉蒸发对真空条件要求高吗?
A:建议在高真空条件下使用,以确保成分准确与膜层质量。

Q4:镉薄膜沉积时需要注意什么?
A:需严格控制蒸发速率与安全防护,并符合相关法规要求。

Q5:可以与硫、硒、碲共蒸发吗?
A:可以,常用于 CdS、CdSe、CdTe 等化合物薄膜制备。

Q6:颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗?
A:会,均匀尺寸有助于稳定通量与膜厚控制。

Q7:镉薄膜的光学性能如何?
A:在可见光与近红外波段具有良好的光电响应潜力。

Q8:是否适合科研级应用?
A:适合,常用于化合物半导体与光伏相关研究。

Q9:镉蒸发材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免挥发、氧化与环境暴露。

Q10:是否支持定制规格与高纯度?
A:支持,可提供定制尺寸及 5N 等高纯等级。

包装与交付(Packaging)

所有镉蒸发材料在出厂前均经过严格质量检测,并建立完整批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装,确保运输与储存过程中保持高纯度与材料稳定性。

结论(Conclusion)

镉蒸发材料(Cd)凭借其低熔点、良好的蒸发可控性及在 II–VI 族化合物半导体中的核心作用,在光伏、光电与科研级薄膜沉积中具有不可替代的价值。对于需要精确成分控制与低温工艺窗口的应用,镉蒸发材料是一种成熟且高效的专业选择。

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sales@keyuematerials.com