描述

氮化钪靶材（ScN）

产品简介（Introduction）

氮化钪（ScN）是一种具有立方岩盐结构的高性能氮化物材料，结合了宽带隙半导体特性、良好热稳定性以及可调电学与光学性能，在半导体、光电器件、声学器件和先进薄膜研发中迅速崛起。氮化钪靶材（ScN Sputtering Target）可用于制备高致密、低缺陷的 ScN 薄膜，广泛应用于微电子器件、热电材料、传感器与高级光学结构。

ScN 具有适中的带隙（约 2.1–2.4 eV）、高电子迁移率、低热导率、低电阻可调特性，使其成为 GaN、AlN 体系的重要补充材料，也常用于构建金属氮化物异质结或用于半导体量子结构的开发。

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产品详情（Detailed Description）

氮化钪靶材通常采用 高纯 Sc 金属 + 高纯 N₂ 反应合成、热等静压（HIP） 或 真空热压烧结（HP） 工艺制备，以保证材料的相纯度、致密度与机械稳定性。

典型参数如下：

• 纯度：99.9%–99.99%（3N–4N）

• 晶体结构：立方岩盐结构（NaCl 型）

• 尺寸可选：直径 25–300 mm，可定制矩形靶材

• 厚度：3–6 mm，可按设备要求调整

• 致密度：≥95% TD

• 电阻率（薄膜相关）：10⁻²–10⁻³ Ω·cm（依沉积条件可调）

• 背板组合：铜（Cu）、钛（Ti）或铟焊（In bonding）

上述工艺确保 ScN 靶材在溅射时具有：

• 高强度稳定性，薄膜均匀性优良

• 低颗粒率，适用于高端洁净室应用

• 成膜速率稳定

• 元素组成精确、无偏析

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应用领域（Applications）

● 半导体器件（重点）

ScN 作为中等带隙半导体，可用于：

• n 型薄膜晶体管（TFT）

• 高迁移率沟道层

• 半金属 / 半导体异质结

• 等离子体刻蚀阻挡层

● 热电薄膜材料（Thermoelectrics）

ScN 低热导率 + 可调电阻特性使其成为：

• 微型热电制冷器

• 热电能量收集器

• 热电异质结构（如 ScN/AlN）

● 光电器件（Optoelectronics）

ScN 薄膜具有适中光学带隙，适合：

• 可见区光吸收材料

• 光敏结构

• 光致发光研究（PL）

● 声学与压电器件（Acoustics / MEMS）

ScN 可用于：

• 声表面波器件（SAW）

• 微机电结构（MEMS）

• 高频滤波器

• 氮化物超晶格结构（与 AlN、GaN 组合）

● 硬质涂层与保护膜

• 耐磨涂层

• 高温防护层

• 微纳结构机械强化层

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技术参数（Technical Parameters）

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相关材料对比（Comparison with Related Materials）

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常见问题（FAQ）

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包装与交付（Packaging）

• 真空封装防氧化

• 防静电袋 + 多层防震保护

• 出口级木箱包装

• 单品序列号与质量检测报告（尺寸、纯度、致密度）

适合国际运输与长期储存。

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结论（Conclusion）

氮化钪靶材（ScN）以其可调电子结构、高温稳定性、良好兼容性和丰富的薄膜应用场景，正成为新兴半导体与声/光/电耦合器件研究的重要材料。通过高纯度靶材与稳定工艺，ScN 可广泛应用于先进电子器件、热电薄膜、MEMS 结构和光学功能研究中。

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