锑化铬靶材（CrSb）

产品简介（Introduction）

锑化铬（CrSb）是一种由铬（Cr）与锑（Sb）组成的二元金属间化合物，兼具金属导电性、半导体结构可调性与磁性特征。CrSb 在材料科学中以其可调的电子结构、外延匹配性、自旋极化性质以及稳定的化学形态备受关注，是自旋电子学、磁性薄膜、新型电极材料和功能性镀膜研究的重要靶材。

锑化铬靶材（CrSb Sputtering Target）能够在真空薄膜沉积中形成成分均匀、致密性高且相结构稳定的薄膜层，用于探索电学、磁学、界面物性与微结构控制等多种科学与工业应用。

产品详情（Detailed Description）

CrSb 靶材通常通过以下工艺制备：

• 固相反应合成（SSR）

• 真空烧结（VS）

• 热压烧结（HP）

• 冷等静压（CIP）+高温烧结

典型技术特性：

• 纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）

• 致密度：≥ 95% 理论密度（TD）

• 晶体结构：金属间化合物结构，稳定性高

• 尺寸规格：直径 25–300 mm 或矩形靶材

• 厚度范围：3–6 mm（可定制）

• 兼容溅射方式：DC、RF、Pulsed DC

• 背板结合方式：Cu / Ti / Indium bonding，可提升散热能力

由于 CrSb 对氧较敏感，靶材加工需在惰性或受控气氛下进行。最终产品表面均匀细腻，无裂纹、无明显孔洞，适合高端薄膜应用。

工艺优势：

• 相纯度高、成分稳定

• 高致密度降低颗粒产生

• 适合长时间溅射

• 可提供定制化组分或微调 Sb 含量

• 有利于外延薄膜沉积及界面工程研究

应用领域（Applications）

CrSb 薄膜广泛用于磁性薄膜、电极材料和多层结构研究：

● 自旋电子学（Spintronics）

CrSb 具有自旋相关输运特性，可用于：

• 自旋极化薄膜

• 磁性隧穿结构（MTJ）

• 自旋注入层

• 磁阻效应研究

● 半导体与功能薄膜

CrSb 在金属与半导体之间具有良好的过渡特性：

• 电极材料（兼具化学稳定性与良好电导）

• 阻挡层或界面层

• 多层堆叠结构中的关键中间层

● 光电薄膜（Optoelectronics）

CrSb 可用于：

• 红外吸收材料

• 可调带隙薄膜结构

• 光电探测器

● 微电子器件与先进制造

其薄膜具有稳定、低缺陷的特点：

• 过渡层 / 缓冲层

• 微纳器件金属化结构

• 真空镀膜中的耐腐蚀功能层

● 材料物性与科研实验

广泛用于：

• 金属-半导体界面物性研究

• 金属间化合物稳定性实验

• 电磁耦合行为研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 多层防震保护结构

• 防静电包装

• 出口级木箱运输

• 每片靶材附唯一追踪编号与质量报告

保证运输与储存过程中的稳定性与洁净度。

结论（Conclusion）

锑化铬靶材（CrSb）凭借其金属间化合物结构、自旋电子学潜力、良好的导电特性与界面稳定性，在科研和先进制造中具有重要价值。通过使用高纯度、高致密度 CrSb 靶材，可沉积出高质量薄膜，用于电子、磁性、光电与材料科学领域的前沿研究。

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