硅硒靶材（SiSe）

产品简介（Introduction）

硅硒靶材（SiSe）是一种重要的化合物溅射材料，具有优异的光电特性、可调谐的能带结构以及良好的薄膜致密性，广泛应用于光电探测器、红外器件、非线性光学材料、存储器薄膜和先进半导体研究领域。
SiSe 薄膜具备良好的光吸收能力及电学稳定性，可用于开发高灵敏度光电器件与新型功能薄膜结构，是科研机构与高端制造工艺中不可或缺的关键材料。

产品详情（Detailed Description）

硅硒靶材通常采用高纯硅与高纯硒通过真空热压、高温固相合成、CIP、HIP 或热压烧结工艺制备而成。通过控制化学计量比与烧结气氛，可显著提升材料的致密度、均匀性及溅射稳定性。

可提供规格：

• 纯度：99.9% – 99.99%

• 尺寸范围：Φ25–Φ300 mm，可定制矩形、阶梯靶

• 厚度：3–6 mm（支持定制）

• 致密度：>97%

• 背板选项：铜背板（Cu）、钛背板（Ti）、铟焊（In Bonding）

性能优势：

• 溅射稳定性高，不易出现颗粒溅出

• 薄膜结构均匀，成核与生长可控

• 可调控带隙、光吸收与电阻率

• 适用于低温与高温沉积工艺

• 背板键合可提升散热能力，增强整体机械稳定性

应用领域（Applications）

硅硒靶材可用于光电、红外、半导体与功能薄膜等多个方向，典型用途包括：

• 光电探测器薄膜（Photodetector Films）

• 红外光学薄膜与红外探测器材料

• 光存储材料（Optical Storage Layers）

• 非线性光学材料薄膜

• 薄膜晶体管（TFT）功能层

• 半导体缓冲层、阻挡层与结构调控层

• 能源材料、功能涂层与科研实验

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. SiSe 靶材适用于哪些溅射方式？
支持 RF 和 DC 磁控溅射。

2. 薄膜是否具备光电响应能力？
是的，SiSe 具有良好的光电性能，可用于探测器与光电薄膜。

3. 可否定制化学计量比？
可以，根据研究需求调整 Si/Se 配比。

4. 是否会在沉积中产生颗粒？
高致密度与优质烧结工艺可大幅降低颗粒生成。

5. 适用于柔性电子吗？
可用于柔性光电器件薄膜。

6. SiSe 是否耐高温？
具有良好的热稳定性，可承受高温退火工艺。

7. 是否兼容玻璃、硅片、金属基底？
兼容性优秀。

8. 是否可用于多层结构？
可以，与氧化物、硫族化物共用以实现复合结构。

9. 是否提供检测报告？
均附 ICP/Hall/密度/尺寸检测报告（按需）。

10. 大尺寸靶材是否可定制？
可定制全尺寸至 300 mm 或更大。

包装与交付（Packaging）

所有硅硒靶材均采用：

• 真空密封

• 防震泡棉

• 出口级木箱

• 唯一序列号追溯体系

确保运输过程中无污染、无损伤。

结论（Conclusion）

硅硒靶材（SiSe）具备优异的光电特性、热稳定性和成膜一致性，是红外技术、光电探测器与先进功能薄膜应用的重要材料。无论科研实验还是批量生产，苏州科跃材料均可提供高纯、高致密度的专业级 SiSe 靶材解决方案。

如需获取报价或技术资料，请联系：
sales@keyuematerials.com