锗锑靶材（GeSb）

产品简介（Introduction）

锗锑靶材（GeSb）是一种典型的相变材料靶材，由锗（Ge）与锑（Sb）组成，具有优异的可逆相变特性、快速晶化能力、稳定的非晶态结构以及可调的光学与电学性能。
在相变存储器（PCM）、光存储技术、光子器件以及高灵敏度传感薄膜中具有广泛应用，是新一代非易失性存储材料研究的重要组成部分。

GeSb 薄膜结构稳定、均匀性高、易成膜，并且具有可控应力与低颗粒特性，非常适合科研及先进制造工艺。

产品详情（Detailed Description）

锗锑靶材使用高纯 Ge 与 Sb 原料，通过真空熔炼、粉末冶金、CIP、HIP、高温固相反应等工艺制备，确保成分均匀、致密度高、结构稳定。

可提供规格：

• 纯度：99.9% – 99.99%

• 成分比：Ge:Sb 可定制（如 Ge60Sb40、Ge70Sb30 等）

• 尺寸：Φ25 – Φ300 mm（支持方形、矩形、阶梯靶）

• 厚度：3–6 mm

• 致密度：≥97%

• 背板选择：Cu 背板 / Ti 背板 / In 焊接

材料性能优势：

• 快速可逆相变（晶化速度快）

• 热稳定性好，适用于高密度存储

• 薄膜均匀性高、应力低

• 可调光学常数与电阻率

• 成膜稳定、颗粒率低

• 与主流基底兼容性强（Si、SiO₂、玻璃等）

应用领域（Applications）

GeSb 靶材广泛应用于相变与光电技术，包括：

• 相变存储器（PCM / PCRAM）薄膜

• 光存储材料（光盘、可擦写媒体）

• 光子调制与硅光子集成器件

• 可调光学薄膜（VOA / VOD）

• 红外探测与热成像薄膜结构

• 高温稳定功能层

• 科研实验中的相变动力学研究

作为 GST（GeSbTe）体系的基础材料之一，GeSb 常作为性能调节层或独立功能材料使用。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. GeSb 是相变材料吗？
是的，具有快速可逆的晶化/非晶转变。

2. 成分可以定制吗？
可以，根据相变速度、光学常数或电阻率需求调整 Ge:Sb 比例。

3. 是否适用于 RF 和 DC 溅射？
适用于 RF / DC 磁控溅射等多种系统。

4. 膜层会有颗粒吗？
高致密度靶材可显著降低颗粒生成。

5. 适用于硅基工艺吗？
兼容硅、玻璃及多种氧化物基底。

6. 是否提供检测报告？
出厂均附纯度检测、尺寸、电性及外观检测。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封

• 防震泡棉保护

• 出口级木箱 / 抗压包装

• 独立编号可追溯体系

确保靶材在运输过程中的稳定性与清洁度。

结论（Conclusion）

锗锑靶材（GeSb）以其快速相变能力、优良薄膜性能和高温稳定性，在相变存储、光子器件与先进光学薄膜领域具有重要价值。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、多成分可选的 GeSb 靶材，适用于科研与工业化生产需求。

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